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1SMB5930BT3G 发布时间 时间:2025/5/30 12:44:42 查看 阅读:23

1SMB5930BT3G 是一款由英飞凌(Infineon)生产的双向瞬态电压抑制二极管(TVS Diode)。该器件主要应用于电路的过压保护,能够在瞬时高压脉冲下快速钳位电压,保护后级电路免受损坏。它具有低电容、低泄漏电流和高浪涌能力的特点,适用于高速数据线和射频线路的保护。

参数

型号:1SMB5930BT3G
  品牌:Infineon
  类型:双向 TVS 二极管
  工作电压(VBR):±30V
  最大钳位电压(VC):±49.4V
  峰值脉冲电流(IPP):±12.8A
  反向 standoff 电压(VRWM):±26V
  结电容(CJ):3.7pF
  漏电流(IR):1μA
  封装:SOD-323 (MELF)

特性

1SMB5930BT3G 的双向结构使其能够同时保护正负方向的瞬态过压。其低结电容特性非常适合高速信号线路的应用场景,不会对信号完整性造成显著影响。
  此外,该器件具备出色的响应速度,能够在纳秒级别内对瞬态电压进行钳位操作,确保敏感电子设备的安全运行。
  其小型化的 MELF 封装也便于在紧凑型设计中使用,适合消费电子、通信设备和工业应用中的过压保护需求。

应用

1SMB5930BT3G 广泛应用于各种需要过压保护的场景,包括但不限于:
  - 高速数据接口保护(如 USB、HDMI、以太网等)
  - 射频模块保护
  - 工业控制信号线保护
  - 消费类电子产品中的 ESD 和雷击浪涌防护
  - 汽车电子系统的瞬态电压保护

替代型号

1SMB5928BT3G
  1SMB5931BT3G
  SM11A-T3G

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1SMB5930BT3G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)16V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 12.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大550mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称1SMB5930BT3GOSDKR