IRF7319TR 是一款双通道 N 沗道增强型 MOSFET,由 Infineon Technologies(原 International Rectifier)生产。该器件专为需要高效能和低导通电阻的应用设计,适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理、电机驱动等场景。IRF7319TR 的两个 MOSFET 在单一封装内集成,可减少 PCB 占用空间并简化电路设计。
漏源极电压:30V
连续漏极电流:2.5A(每个MOSFET)
导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:6nC(典型值)
总电容:130pF(输入电容)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SO-8
IRF7319TR 提供了以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,得益于较低的栅极电荷 (Qg),适合高频应用。
3. 双通道集成设计,减少外部元件数量并优化 PCB 布局。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备制造要求。
6. 封装小巧,易于焊接和装配,适合高密度设计需求。
IRF7319TR 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的电源管理,如智能手机和平板电脑。
2. 笔记本电脑及便携式电子产品的电池保护电路。
3. DC-DC 转换器和 POL(Point of Load)调节器。
4. 各种消费类电子产品中的负载开关。
5. 小功率电机驱动和控制。
6. 数据通信和网络设备中的信号切换功能。
7. 其他需要低功耗和高性能开关的场景。
IRL7319TR, IRF7347TR