类型：TVS二极管
　　封装：SMB (DO-214AA)
　　最大反向工作电压（VRWM）：200V
　　击穿电压（VBR）：200V
　　最大钳位电压（VC）：324V
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：9.26A
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（最大）
　　功率耗散（PPPM）：3000W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

1SMB3EZ200 具备优异的瞬态抑制能力，能够在极短时间内响应并钳位电压，从而保护下游电路免受损害。其SMB封装结构使其适用于高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和机械强度。该器件采用硅雪崩技术，具有低漏电流、高可靠性和长寿命等优点。
　　此外，1SMB3EZ200 的双向结构设计使其可以用于交流或直流电路中的双向保护，适用于数据线、电源线等多类应用场景。其响应时间极短，通常在皮秒级，能够有效应对高速瞬态事件，如雷击感应浪涌和ESD事件。
　　在保护性能方面，1SMB3EZ200 提供了稳定的钳位电压，确保在过压条件下不会对被保护元件造成额外的应力。其高能量吸收能力使其在恶劣电磁环境中依然保持良好的性能。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。

1SMB3EZ200 主要用于各类电子设备中的电路保护，常见应用包括电源输入保护、通信接口（如RS-232、RS-485）、以太网接口、USB接口、工业控制设备、消费类电子产品以及汽车电子系统等。
　　例如，在电源适配器中，该器件可用于防止因雷击或开关瞬态引起的高压冲击损坏后级电路；在通信设备中，可用于保护信号线免受静电放电影响，提高系统稳定性与可靠性。
　　由于其高可靠性和紧凑封装，1SMB3EZ200 也常用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于保护数据和电源线路免受日常使用中可能发生的静电放电影响。

1SMB3EZ200A, 1.5KE200, SMBJ200A, P6KE200