类型：单向TVS二极管
　　封装：SMB（DO-214AA）
　　反向工作电压（VRWM）：12.7V
　　击穿电压（VBR）：最小14.1V，最大15.6V
　　钳位电压（VC）：24.4V @ Ipp = 1.9A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：600W
　　测试电流（IT）：1mA
　　最大漏电流（IR）：5μA
　　峰值脉冲电流（Ipp）：2.46A
　　极性：单向
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

1SMB14AT3G的核心特性之一是其快速响应能力和高效的瞬态电压抑制性能。当电路中出现超过其击穿电压的瞬态过压事件时，该TVS二极管能在极短时间内从高阻态转变为低阻态，迅速将多余的能量通过自身泄放，从而限制电压上升幅度，保护后续元件不被损坏。这种机制特别适用于抵御静电放电（ESD）冲击，其可承受IEC 61000-4-2标准中规定的±8kV接触放电和±15kV空气放电等级。此外，该器件具有较低的漏电流，在正常工作条件下对系统功耗影响极小，确保了系统的稳定运行。其600W的峰值脉冲功率处理能力使其能够在短时间内吸收较大的能量，适用于多种突发性过压场景。
　　另一个重要特性是其稳定的电气参数和良好的温度适应性。1SMB14AT3G的工作结温可达+150℃，可在恶劣的热环境中长期稳定工作，适用于工业与车载环境下的应用。其SMB封装形式不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。同时，该封装具备较好的散热性能，有助于在瞬态事件发生后快速恢复。器件的机械强度高，抗振动和冲击能力强，进一步增强了其在复杂工况下的可靠性。此外，产品经过严格的筛选和测试，确保批次一致性，降低了因元器件失效导致的产品返修率。
　　从材料和工艺角度看，1SMB14AT3G采用先进的半导体制造技术，确保PN结均匀性和击穿特性的可控性。其内部结构优化减少了寄生电感和电容，有利于高频瞬态信号的快速响应。整个器件不含铅和有害卤素，符合现代绿色电子产品的环保规范。这些综合特性使得1SMB14AT3G成为众多电源端口、接口电路及模块化设备中不可或缺的保护元件。

1SMB14AT3G广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中。在电源管理电路中，它常被部署于直流输入端口，用于防止因电源插拔、反接或电网波动引发的电压尖峰对稳压器、DC-DC转换器等核心部件造成损害。在通信设备中，该TVS可用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等接口线路，抵御远距离传输过程中可能引入的电磁干扰和感应雷击。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，1SMB14AT3G可用于USB端口、充电接口的ESD防护，提升产品耐用性和用户体验。
　　在工业控制系统中，传感器信号线、PLC输入输出通道容易受到电机启停、继电器切换等操作带来的感性负载反电动势影响，该器件可有效抑制此类瞬态干扰，保障控制信号的准确性与系统稳定性。此外，在汽车电子领域，尽管其非专门车规级型号，但仍可用于部分辅助电子模块，如车载信息娱乐系统、车内照明控制单元等，提供基础级别的过压保护。家用电器中的微处理器供电单元也常使用此类TVS进行电源净化。
　　由于其小型化封装和高可靠性，1SMB14AT3G也适用于便携式医疗设备、测量仪器和物联网终端设备中，尤其适合空间受限但需高防护等级的设计方案。总体而言，任何存在瞬态过压风险的低压直流电路均可考虑采用该器件作为第一道防线，构建稳健的电磁兼容（EMC）体系。

SMBJ15AHE3/54|P6KE15CA-TR|SML4BT15