1SMA4755-AU_R1_000A1是一款SMA封装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压应用。该器件由ROHM Semiconductor生产,具有较高的稳定性和可靠性,适用于各类电子设备中的电源管理部分。齐纳二极管能够在反向击穿区域工作,提供稳定的参考电压,广泛用于电源、放大器和电压保护电路中。
类型:齐纳二极管
封装类型:SMA
最大耗散功率:1 W
齐纳电压(Vz):27 V
测试电流(Iz):5 mA
最大齐纳阻抗(Zz):900 Ω
最大反向漏电流(Ir):100 nA
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
1SMA4755-AU_R1_000A1具有优良的电压稳定性能,其齐纳电压在工作电流范围内保持恒定,适用于需要稳定电压的电源和参考电压源设计。该器件采用SMA表面贴装封装,体积小、重量轻,适合高密度印刷电路板(PCB)布局。此外,该齐纳二极管的热稳定性好,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出。
该器件的最大耗散功率为1W,确保在常规应用中不会因过热而损坏。其齐纳电压测试电流为5mA,在此电流下,齐纳二极管表现出最小的电压波动,确保电压输出的稳定性。齐纳阻抗为900Ω,该值越低,电压调节能力越强,适用于对电压波动敏感的电路设计。
1SMA4755-AU_R1_000A1的反向漏电流非常低,最大为100nA,这使得它在低功耗电路中表现优异。此外,器件的工作温度范围宽,可在-55°C至150°C之间稳定工作,适合工业级应用环境。
该齐纳二极管主要用于电源稳压电路、电压参考源、放大器偏置电路、电压保护电路等。常见于通信设备、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子系统中。由于其良好的稳定性和可靠性,该器件也可用于高精度模拟电路中的参考电压源设计。
1SMA4755A-TR, 1SMA4755-E3/54, 1N4755A-1