时间：2025/8/7 3:18:14
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1SD536F2-CM2400HCB 是一款由东芝（Toshiba）生产的 IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于工业电机驱动、变频器、电源系统以及电能转换设备等场景。IGBT 是一种结合了 MOSFET 易于驱动的特性和双极型晶体管低导通压降优点的功率半导体器件。1SD536F2-CM2400HCB 在设计上优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。此外，该模块还具备较高的短路耐受能力，以增强系统在异常情况下的可靠性。
类型：IGBT 模块
额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：536A
配置：双 IGBT（Dual IGBT）
封装形式：模块型（Module）
安装方式：螺钉安装
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：支持
隔离电压：2400Vrms
制造商：东芝（Toshiba）
1SD536F2-CM2400HCB 是一款高性能的 IGBT 模块，采用了先进的芯片技术和模块封装工艺，以确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。该模块的额定集电极-发射极电压为 1200V，额定集电极电流为 536A，适用于高功率密度设计。模块内部采用了双 IGBT 配置，使得在高电流条件下仍能保持良好的性能。
在电气特性方面，1SD536F2-CM2400HCB 具有较低的导通压降和优化的开关损耗，从而减少了系统整体的能耗。此外，该模块具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这对于提高电力电子系统的鲁棒性和安全性至关重要。
该模块的封装形式为模块型（Module），并支持螺钉安装方式，便于集成到各种电力电子设备中。其隔离电压达到 2400Vrms，能够有效确保模块在高电压环境下的安全运行。同时，该模块的工作温度范围宽广，可在 -40°C 至 +150°C 的环境下正常工作，适用于各种恶劣的工业环境。
1SD536F2-CM2400HCB 还采用了东芝先进的芯片技术，进一步提高了模块的热管理性能。模块内部的热阻较低，使得热量能够更有效地传导至散热器，从而避免过热导致的性能下降或损坏。此外，该模块在设计上考虑了电磁干扰（EMI）的抑制，有助于减少系统中的噪声干扰，提高整体电磁兼容性。
1SD536F2-CM2400HCB 主要应用于高功率工业设备，如变频器、伺服驱动器、逆变器和电能转换系统。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其非常适合用于电机控制和电源管理系统。此外，该模块也可用于可再生能源系统，如风力发电和太阳能光伏逆变器中，以实现高效的能量转换。在轨道交通领域，1SD536F2-CM2400HCB 可用于牵引变流器和辅助电源系统，提供可靠的功率控制解决方案。
CM2400HCB-12H, 1SD536F2-CM2400HC, 1SD536F2-CM2400HB
