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1PS88SB82,115 发布时间 时间:2025/9/14 11:12:50 查看 阅读:11

1PS88SB82,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款 PIN 二极管,主要用于射频(RF)开关和衰减器应用。这款二极管具有良好的射频性能和低插入损耗,适用于高频通信系统中的信号控制。1PS88SB82,115 采用小型 SOT-23 封装,适合空间受限的设计。

参数

类型:PIN 二极管
  封装类型:SOT-23
  最大工作频率:100 MHz
  最大反向电压:30 V
  正向电流:100 mA
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  结电容(@ 0V):约 1.2 pF

特性

1PS88SB82,115 是一款高性能的 PIN 二极管,具备出色的射频性能和稳定的电气参数。其核心特性之一是具有较低的插入损耗,在高频应用中能够有效减少信号损失,从而提升系统的整体效率。此外,该器件的结电容非常低(约 1.2 pF @ 0V),使其在高频条件下仍能保持良好的线性度和响应速度。
  该二极管的最大反向电压为 30V,能够承受较高的电压应力,适用于多种射频功率控制应用。其最大正向电流为 100mA,确保在连续工作条件下具有良好的稳定性和可靠性。1PS88SB82,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适合在极端温度环境下运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  采用 SOT-23 小型封装形式,使得该器件在 PCB 布局时占用空间较小,适合高密度电路设计。同时,该封装具备良好的热稳定性和机械强度,有助于提高器件在实际应用中的耐用性。

应用

1PS88SB82,115 常用于射频开关、衰减器、信号调节电路以及无线通信系统中的射频控制模块。其低插入损耗和高频性能使其特别适用于 GSM、CDMA、WCDMA、Wi-Fi 和蓝牙等无线通信标准的射频前端设计。此外,该器件也可用于测试设备、工业控制系统和汽车通信模块等应用领域。

替代型号

1PS78SB82,115; 1PS88SB84,115; BAR63-03W; BB130

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1PS88SB82,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)700mV @ 30mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 1V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)30mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)15V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置3 个独立式
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6912-6