时间：2025/9/14 14:52:46
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PBLS1504Y,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力。该器件适用于需要高效能和低功耗的开关应用。其主要设计目标是在高频开关应用中提供优异的性能，并且具有良好的热稳定性。该器件采用标准的 SOT223 封装形式，适用于多种工业、汽车和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：4.3A
导通电阻（RDS(on)）：0.052Ω @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：0.067Ω @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT223
PBLS1504Y,115 具备一系列优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 0.052Ω，而在 VGS=4.5V 时仍保持较低的 0.067Ω，这使得该器件适用于多种栅极驱动电压的应用场景。
其次，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（PD=1.4W），使其在高负载工作条件下仍能保持稳定运行。此外，SOT223 封装提供了良好的散热性能，同时便于在印刷电路板（PCB）上安装和布局。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较高的抗干扰能力和可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种环境条件下运行，包括高温和低温应用场景。
由于其高可靠性和出色的性能，PBLS1504Y,115 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中。其优异的开关特性使其在高频应用中表现尤为出色。
PBLS1504Y,115 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。此外，该器件在电池供电设备中的应用也非常广泛，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子产品中，用于提高能效和延长电池寿命。
在工业自动化和控制系统中，PBLS1504Y,115 可作为功率开关用于驱动继电器、LED 照明、传感器模块和其他高功率负载。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该器件也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统等应用。
此外，该 MOSFET 在消费类电子产品中也有广泛应用，包括电源适配器、无线充电器、智能电源插座等设备中，作为主控开关或辅助开关使用。
Si2302DS, IRLL2703, BSS138K, FDS6675, NDS355AN
