1PS79SB31,135 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款小信号硅开关二极管,适用于高频开关应用。该器件采用SOT-23封装,具备快速开关特性和低电容设计,广泛用于通信设备、射频开关电路、逻辑电路以及保护电路等应用。
类型:硅开关二极管
封装类型:SOT-23
最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
最大平均正向电流(IF(AV)):100mA
最大峰值正向电流(IFSM):200mA
最大反向电流(IR):100nA(@ VR=30V)
正向电压降(VF):1.1V(@ IF=10mA)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
结电容(Cj):4pF(@ VR=0V, f=1MHz)
反向恢复时间(trr):4ns
1PS79SB31,135 是一款高性能的小信号开关二极管,具有快速的反向恢复时间(trr 仅为4ns),适合用于高频开关和高速逻辑电路。其低结电容(4pF)和高开关速度使其在射频和通信应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
此外,该器件采用SOT-23封装,体积小、重量轻,便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具有良好的散热性能,能够保证在较高工作电流下的稳定性。
二极管的正向电压降为1.1V,在10mA测试电流下保持稳定,确保电路中的低功耗运行。反向漏电流低至100nA,提升了电路在低功耗模式下的性能表现。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于各种工业和汽车电子环境,具备良好的耐久性和稳定性。
1PS79SB31,135 主要应用于高频开关电路、射频信号切换、逻辑门电路、电压钳位电路、电荷泵电路、信号整流、保护电路(如ESD保护)、通信设备、消费电子产品和汽车电子系统等。其小巧的SOT-23封装和高性能参数使其成为便携式电子设备和高密度电路板设计的理想选择。
1N4148, 1N4448, BAS70-04, BAV99