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1PS70SB20 发布时间 时间:2025/9/15 0:05:57 查看 阅读:6

1PS70SB20是一款由英飞凌(Infineon)制造的射频(RF)功率晶体管,专为高频率和高功率应用而设计。该器件基于硅双极型晶体管技术,适用于广播、工业加热、医疗设备和其他需要高功率放大的场合。该晶体管能够在高频下提供高达70W的输出功率,并具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

制造商: Infineon Technologies
  类型: 射频功率晶体管
  晶体管类型: NPN
  最大输出功率: 70W
  最大工作频率: 200MHz
  最大集电极电流(Ic): 2.5A
  最大集电极-发射极电压(Vce): 65V
  最大结温(Tj): 200°C
  封装类型: TO-247
  增益(Gp): 约14dB @ 175MHz
  静态电流增益(hFE): 约30 @ Ic=1A, Vce=5V

特性

1PS70SB20具备优异的射频性能和高可靠性,特别适合在高功率、高频环境中使用。其硅双极型结构提供了良好的线性度和效率,适用于调幅(AM)、调频(FM)和数字广播等应用。该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,确保在高功率操作下保持稳定。
  此外,1PS70SB20具有较高的线性增益,能够在较宽的频率范围内提供一致的放大性能。它还具备良好的热保护特性,能够在高温条件下正常运行,避免因过热而导致的损坏。该晶体管的输入和输出阻抗匹配良好,减少了对外部匹配网络的依赖,简化了设计流程并提高了系统稳定性。

应用

1PS70SB20广泛应用于射频功率放大器设计中,尤其是在广播发射机、工业射频加热系统、医疗射频设备以及测试与测量仪器等领域。它适用于中短波广播发射机的末级放大器,能够提供高输出功率和良好的信号保真度。在工业应用中,该晶体管可用于射频能量传输和等离子体发生设备中的功率放大环节。此外,在需要高功率射频信号放大的科研和通信系统中,1PS70SB20也是一款常用的高性能器件。

替代型号

BLF177, 2SC2879, MRF151G, MRFE6VP61K25H

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1PS70SB20参数

  • 二极管类型:肖特基
  • 电流, If 平均:500mA
  • 电压, Vrrm:40V
  • 正向电压 Vf 最大:500mV
  • 电流, Ifs 最大:2A
  • 封装形式:SOT-323
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 二极管配置:单一
  • 封装类型:SOT-323
  • 正向电压, 于If:550mV
  • 电流, If @ Vf:500mA
  • 电流, Ifsm:2A
  • 结温, Tj 最高:125°C
  • 表面安装器件:表面安装