1PMT5953E3/TR13 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产的双极型晶体管(BJT),主要用于高频和高可靠性应用。该器件采用SOT-23表面贴装封装,适用于军事、航空航天和工业等对可靠性要求较高的系统。
晶体管类型:PNP双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
过渡频率(fT):250MHz
集电极-基极击穿电压(VCBO):100V
发射极-基极击穿电压(VEBO):5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1PMT5953E3/TR13是一款专为高可靠性和高频应用设计的晶体管。该器件采用了Microsemi的先进双极型工艺,具有优异的高频响应和稳定的电气性能。其SOT-23封装形式便于表面贴装,适用于小型化电路设计。
这款晶体管的最大集电极-发射极电压为100V,最大集电极电流为100mA,适合用于低功率放大和开关电路。其过渡频率(fT)达到250MHz,意味着在高频条件下仍能提供良好的增益和响应能力,适用于射频(RF)和中频(IF)放大器等应用。
1PMT5953E3/TR13的封装符合MIL-STD-883标准,适用于军事和航空航天环境。其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端温度条件下稳定工作,确保了在严苛环境中的可靠性。
1PMT5953E3/TR13广泛应用于军事通信设备、航空航天电子系统、工业自动化控制、高频放大器以及高可靠性电源管理电路。由于其高频特性和高可靠性,特别适用于需要稳定性能的射频(RF)前端模块和中频放大电路。
2N3906, BCX70P, PN2907A