时间：2025/5/10 12:41:53
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DMT47M2SFVWQ是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计。该器件适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为TO-263（D2PAK），具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，支持高频开关操作，并具备良好的热性能，适合表面贴装技术（SMT）组装。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：55nC
总电容（Ciss）：1580pF
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装：TO-263（D2PAK）
DMT47M2SFVWQ采用了最新的硅技术，提供卓越的电气性能和可靠性。的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，满足高功率应用需求。
3. 优化的开关性能，支持高频操作，适用于快速切换场景。
4. 增强的热稳定性，能够在极端温度条件下保持正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 封装结构紧凑，易于集成到现代电路设计中。
DMT47M2SFVWQ广泛应用于多种工业和消费电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 直流-直流（DC-DC）转换器的核心功率元件。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
6. LED驱动器以实现高效照明解决方案。
DMT47M2SFVWQ-A, DMT47M2SFVWQ-B
