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1PMT5940BE3/TR13 发布时间 时间:2025/7/25 9:58:08 查看 阅读:6

1PMT5940BE3/TR13是一种电子元件,通常用于高可靠性应用中。这种元件属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,具备高耐压和大电流承载能力的特性,适用于需要高效能和高稳定性的电路设计。

参数

类型:MOSFET
  最大漏极电流:20A
  最大漏极-源极电压:60V
  最大栅极-源极电压:20V
  导通电阻:120mΩ
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

1PMT5940BE3/TR13 MOSFET具有低导通电阻,这使得它在导通状态下的功率损耗较小,提高了系统的效率。其高耐压特性使其能够在较为恶劣的电气环境中稳定工作。此外,该元件的封装设计有助于有效的热管理和长期可靠性,适合在高要求的应用场景中使用。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性,能够在高温条件下保持性能不变。其快速开关特性也使其成为高频应用的理想选择。这些特点共同确保了该元件在各种苛刻条件下的可靠运行。

应用

1PMT5940BE3/TR13广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子系统以及工业自动化设备。由于其高可靠性和稳定性,它也被用于航空航天和军事设备中的电源转换和控制电路。此外,该元件还适用于电池管理系统和不间断电源(UPS)等需要高效率和高稳定性的场合。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF540NPBF, FDP6030BL

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1PMT5940BE3/TR13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格12,000 : ¥5.84318卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)43 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值3 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)53 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 32.7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-216AA
  • 供应商器件封装DO-216AA