类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（Vceo）：600 V
　　集电极电流（Ic）：15 A
　　集电极峰值电流（Icm）：30 A
　　栅极-发射极电压（Vges）：±20 V
　　饱和压降（Vce(sat)）：2.0 V（典型值，@ Ic = 12 A, Vge = 15 V）
　　功耗（Ptot）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Cies）：约 1100 pF
　　输出电容（Coes）：约 200 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 50 ns
　　开关时间（ton/off）：几十至几百纳秒量级（取决于驱动条件）

1P620SR的核心特性之一在于其高电压阻断能力与低导通损耗的平衡设计。该IGBT可在高达600V的集电极-发射极电压下正常工作，能够承受瞬态过压而不发生击穿，这使其非常适合用于AC-DC和DC-AC转换系统中，如不间断电源（UPS）、焊接设备和变频驱动器。其15A连续集电极电流和30A脉冲电流能力，足以应对大多数中等功率应用的需求。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，推荐工作在+15V左右以实现最佳导通效果，同时具备负压关断能力，有助于防止因噪声干扰导致的误开通。
　　另一个显著特点是其出色的热性能和可靠性。由于采用了TO-220封装，1P620SR可以通过外接散热片有效散发运行过程中产生的热量，从而延长使用寿命并提升系统稳定性。其最大总功耗可达125W，在良好散热条件下可长时间运行于高负载状态。此外，器件的工作结温范围宽达-40°C至+150°C，适应严苛的工业环境，包括高温车间或低温户外设备。
　　1P620SR还具备良好的动态开关性能。虽然IGBT本身相比MOSFET具有较慢的开关速度，但通过优化内部结构，该型号在开关损耗与导通损耗之间实现了良好折衷。其输入电容约为1100pF，输出电容约200pF，使得在典型驱动电路下能够实现快速响应。反向恢复时间短（约50ns），有助于减少续流二极管或体二极管在换流过程中的能量损耗。同时，该器件对电磁干扰（EMI）具有一定的抑制能力，配合合适的栅极电阻调节，可以进一步优化开关波形，降低电压尖峰和振荡风险。
　　安全性方面，1P620SR具备一定的短路耐受能力，能在短时间内承受过流冲击而不立即损坏，为保护电路（如电流检测和软关断机制）争取反应时间。这种鲁棒性对于提高整个电力电子系统的故障容忍度至关重要。总体而言，1P620SR以其均衡的电气性能、可靠的封装质量和广泛的应用兼容性，成为工业级功率开关器件中的优选方案之一。

1P620SR广泛应用于各类中等功率电力电子系统中，尤其适用于需要高效能开关控制的场景。在变频器和电机驱动领域，它常被用作逆变桥臂中的开关元件，将直流电转换为频率和幅值可调的交流电，从而实现对交流电机的速度和转矩精确控制，常见于风机、水泵、传送带等工业自动化设备中。在开关模式电源（SMPS）中，该IGBT可用于有源功率因数校正（PFC）电路或主变换拓扑（如半桥或全桥结构），特别是在数百瓦到数千瓦功率等级的电源模块中表现优异。
　　此外，1P620SR也广泛用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置。在这些应用中，IGBT作为谐振逆变器的核心开关，工作在较高频率（通常为20kHz以上），通过高速通断产生交变磁场，在金属工件中感应涡流实现加热。其低饱和压降和良好的热稳定性有助于提升加热效率并减少能量浪费。
　　在不间断电源（UPS）系统中，1P620SR可用于DC-AC逆变级，将电池组提供的直流电转换为纯净正弦波或方波交流电，保障关键设备在市电中断时持续运行。其高电压耐受能力和较强的负载适应性使其适合多种UPS架构，尤其是在线式和后备式系统。
　　其他应用还包括电焊机电源、太阳能逆变器、电动车辆充电模块以及高压直流继电器替代方案。由于其具备较强的通用性和环境适应性，1P620SR在研发原型设计和批量生产中均受到工程师青睐，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

FGA25N60SMD
　　SGW25N60CSLD
　　IRGPC40K
　　STGP15NC60KD}
　　STGW15NC60KD