型号：1P520SR
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：520V
　　最大连续漏极电流（ID）：3.8A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：15A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω @ VGS = 10V, ID = 1.9A
　　输入电容（Ciss）：500pF @ VDS = 25V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS = 25V
　　反向恢复时间（trr）：—
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：DPAK (TO-252)

1P520SR采用ST专有的高压MOSFET制造工艺，具备出色的电气性能和长期可靠性。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，典型值仅为2.2Ω（在VGS=10V条件下测量），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。对于需要长时间运行或对温升敏感的应用来说，这一特性尤为重要。此外，较低的RDS(on)也意味着可以减少外部散热器的需求，从而节省空间并降低成本。
　　该器件具有良好的开关特性，输入电容Ciss约为500pF，在高频开关应用中表现出较小的驱动功率需求，使得它非常适合用于开关频率较高的DC-DC变换器或PWM控制电路中。同时，其栅极电荷（Qg）相对较低，有助于进一步提升开关速度并减少开关损耗。虽然1P520SR为标准N沟道MOSFET，未特别优化体二极管反向恢复时间，但在大多数非同步整流拓扑中仍可稳定工作。
　　热稳定性方面，1P520SR集成了高效的热传导路径，通过DPAK封装将热量有效地传递至PCB铜箔或散热片上，支持持续高负载运行。其最大功耗可达50W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣环境温度下保持正常工作，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。
　　安全性方面，器件具备±30V的栅源电压耐受能力，防止因驱动信号异常导致栅极击穿；同时，漏源击穿电压高达520V，提供了足够的安全裕量以应对线路瞬变或电感反冲电压。此外，该MOSFET经过严格的雪崩测试，具备一定的抗雪崩能力，提高了系统在异常工况下的生存率。
　　总体而言，1P520SR是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中压N沟道MOSFET，适用于多种中等功率开关电源设计，尤其适合追求高效率与小型化的嵌入式电源模块。

1P520SR广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、离线式反激变换器（Flyback Converter）、Boost升压电路以及ZVS/ZCS软开关拓扑等。由于其520V的耐压等级，特别适合用于通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的电源设计中，作为主开关管或同步整流管使用，能够有效支撑从几十瓦到百瓦级别的输出功率需求。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块中的继电器驱动、电磁阀控制或电机启停开关，凭借其快速响应能力和高耐用性，确保控制系统稳定运行。此外，在LED照明电源中，1P520SR常被用作恒流源的开关元件，配合控制器实现高效调光与节能功能。
　　消费类电子产品如电视、音响、路由器等内部的辅助电源（standby power supply）也常采用此类MOSFET，因其体积小、效率高且易于集成，有利于实现产品的小型化与低待机功耗目标。
　　在新能源相关应用中，1P520SR还可用于太阳能微逆变器、电池充电管理电路或小型UPS不间断电源中，承担能量转换与通断控制任务。其宽泛的工作温度范围和较强的抗干扰能力，使其在户外或高温环境中依然表现可靠。
　　值得一提的是，由于其DPAK封装便于手工焊接与自动贴片，因此也被广泛用于教学实验板、开发评估板及原型验证系统中，成为工程师进行电源设计初期选型的理想候选器件之一。

STP5NK52ZFP
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