类型：MOSFET
　　沟道类型：N 通道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

S13100004 MOSFET 具备一系列出色的电气特性，能够满足高功率电子设备的设计需求。其低导通电阻特性（Rds(on)）确保了在大电流运行时的高效能，同时减少了功率损耗。该器件的高耐压能力（Vds：100V）使其适用于多种高电压应用，包括电源供应器和电机驱动系统。此外，S13100004 还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的性能，从而延长设备的使用寿命。
　　该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，便于散热和安装，适合在紧凑型设计中使用。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 175°C）确保了在各种环境条件下都能可靠运行，适用于工业自动化、汽车电子以及其他恶劣环境下的应用。S13100004 的快速开关特性也有助于提高系统的整体效率，减少开关损耗，并优化电路性能。
　　在安全性和可靠性方面，S13100004 设计有内置的过温保护功能，可以在温度过高时自动切断电流，防止器件损坏。这种设计不仅提高了设备的可靠性，还减少了对外部保护电路的依赖，降低了整体系统设计的复杂性。

S13100004 常用于高功率电子设备中，如开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及各种工业自动化控制系统。此外，它也广泛应用于汽车电子系统、太阳能逆变器和电池管理系统等领域。

IRF1405, STP80NF55, FDP80N10