时间：2025/12/27 8:33:49
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1NM70-S是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装硅N沟道功率MOSFET晶体管，采用先进的“StripFET”技术制造。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于空间受限且对热性能要求较高的场合。其封装形式为PowerFLAT 5x6（也称为STP5F），具有极低的热阻，有助于在紧凑的设计中实现高效的散热管理。由于其优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg），1NM70-S广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的电源管理系统。
这款MOSFET的工作电压等级为70V，典型静态漏源导通电阻（Rds(on)）在10V栅压下仅为8.5mΩ，能够支持较大的持续电流输出，同时降低功率损耗。此外，它具备快速开关能力，可有效减少开关过程中的能量损耗，提升系统整体能效。器件符合RoHS环保标准，并通过了工业级可靠性测试，适合在恶劣环境下稳定运行。
型号：1NM70-S
制造商：STMicroelectronics
产品类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss)：70 V
连续漏极电流(Id) @25℃：34 A
脉冲漏极电流(Idm)：100 A
导通电阻(Rds(on)) @Vgs=10V：8.5 mΩ
导通电阻(Rds(on)) @Vgs=4.5V：12 mΩ
栅源阈值电压(Vgs(th))：2.0 V ~ 3.0 V
栅极电荷(Qg) @10V：15 nC
输入电容(Ciss) @1MHz：1300 pF
功率耗散(Pd)：50 W
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装/包：PowerFLAT 5x6
1NM70-S采用先进的StripFET工艺技术，这种平面条形场效应晶体管结构相较于传统的沟槽型MOSFET，在电流传导路径上实现了更低的电阻和更高的载流密度。该结构通过优化芯片内部的源极与漏极布局，显著降低了单位面积下的导通损耗，从而提高了整体效率。特别地，其超低Rds(on)值——在Vgs=10V时仅为8.5mΩ，使得器件能够在大电流条件下保持较小的温升，这对于便携式设备或高集成度电源模块尤为重要。
另一个关键优势是其出色的热性能表现。得益于PowerFLAT 5x6封装设计，该器件底部带有大面积裸露焊盘，可以直接焊接至PCB上的散热区域，形成高效的热传导路径，大幅降低从结到环境的热阻（Rth(j-a)）。这不仅提升了长期工作的可靠性，还允许在不增加额外散热器的情况下处理较高功耗。此外，该封装支持自动化贴片生产，增强了制造的一致性和良率。
电气特性方面，1NM70-S具备较低的栅极电荷（Qg=15nC），这意味着驱动电路所需的瞬时电流更小，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动损耗。同时，其输入电容（Ciss）控制在合理范围内，有助于抑制高频噪声传播。器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，可在异常工况下提供一定程度的自我保护。综合来看，这些特性使其成为高性能开关电源、同步整流、热插拔控制器及电机控制等应用的理想选择。
1NM70-S广泛用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用场景包括各类DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相供电架构中作为同步整流开关使用，以最大限度减少传导损耗。它也被广泛应用于笔记本电脑、平板设备和嵌入式系统的电源管理单元中，作为负载开关来控制不同功能模块的供电通断，从而实现节能与电源序列控制。
在工业控制领域，该器件可用于小型电机驱动电路，如风扇控制、继电器驱动或电磁阀控制等，凭借其快速响应和低发热特性保障系统稳定性。此外，在电池供电系统（如移动电源、电动工具、无人机等）中，1NM70-S常被用作主开关或反向电流阻断元件，确保能量的有效利用和系统的安全运行。
由于其高可靠性和紧凑封装，该MOSFET也适用于汽车电子中的非动力总成类应用，例如车载信息娱乐系统电源、LED照明驱动或车身控制模块。总之，凡是需要低导通电阻、高电流承载能力和良好热管理的低压大电流开关场景，1NM70-S都是一个极具竞争力的解决方案。
STM70N07F
