1N963BRL 是一款常用的硅基齐纳二极管(Zener Diode),广泛应用于电压调节和电压参考电路中。该器件具有稳定的齐纳击穿电压,典型值为 6.2V,在各种电源管理、保护电路和电压检测电路中均有广泛应用。1N963BRL采用小功率DO-35封装,适合通孔安装,具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):6.2V(@ Izt = 20mA)
最大齐纳电流(Izmax):70mA
最大反向漏电流(Ir):100nA(@ Vr = 1V)
最大功耗(Pd):400mW
工作温度范围:-65°C 至 +200°C
封装形式:DO-35(玻璃封装)
1N963BRL 齐纳二极管具有良好的电压稳定性能,其核心特性之一是在反向击穿区工作时能够维持一个几乎恒定的电压。这使其非常适合作为电压参考源或稳压电路中的关键元件。
该器件的最大齐纳电流为70mA,功耗上限为400mW,能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出。其齐纳电压温度系数较低,能够在不同环境温度下保持电压的稳定,适用于对电压精度有一定要求的电路设计。
DO-35封装结构提供了良好的机械强度和热稳定性,便于安装和散热。此外,该封装具有较高的耐压能力,确保了在高压环境下工作的可靠性。
1N963BRL 的低反向漏电流(最大100nA)有助于减少在非工作状态下的能耗,提高整体电路效率。这在低功耗设计或电池供电系统中尤为重要。
1N963BRL 主要用于需要稳定参考电压的场合,例如电源稳压电路、电压基准源、电池充电器、电压监测电路以及模拟电路中的偏置电压提供。
在电源管理电路中,1N963BRL 可作为分压反馈网络中的基准电压源,确保输出电压的稳定性。在电池充电系统中,它可以用于检测电池电压,防止过充或欠压情况的发生。
此外,该器件也常用于运算放大器电路中的参考电压源,以提高模拟信号处理的精度。在温度补偿电路中,1N963BRL 可与热敏电阻配合使用,实现对电压的精确控制。
由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围,1N963BRL 也适用于工业控制、汽车电子和通信设备等对环境要求较高的应用场景。
1N4735A, BZX55C6V2, MM5Z6V2B