制造商：Cypress Semiconductor (Infineon)
　　产品系列：S29GL032N
　　存储容量：32 Mbit (4 MB)
　　组织结构：4M x 8 / 2M x 16
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行 NOR Flash
　　写入周期寿命：100,000 次（典型值）
　　数据保持时间：20 年（典型值）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　总线宽度：可配置为 x8 或 x16 模式
　　擦除扇区大小：64 KB 主扇区，32 KB 和 8 KB 子扇区
　　安全特性：硬件写保护、临时块锁定、永久块锁定
　　JEDEC 标准兼容：是

S29GL032N90TFI04采用Cypress独有的MirrorBit?技术，这是一种创新的浮动栅存储单元结构，允许在一个物理存储单元中存储两个独立的数据位，分别位于源极和漏极端。这种双位存储机制显著提高了存储密度，同时降低了制造成本和每比特价格，使该芯片在大容量NOR Flash市场中具有竞争优势。MirrorBit技术还带来了更好的可扩展性，支持更小的工艺节点，有助于未来产品的持续演进。
　　该器件提供高性能的读取操作，典型访问时间为90纳秒，适合需要快速启动和就地执行（XIP, eXecute In Place）的应用场景。这意味着微控制器可以直接从闪存中运行代码，而无需先将程序加载到RAM中，从而节省系统内存资源并加快启动速度。此外，S29GL032N支持页编程功能，允许每次写入最多32字节的数据，提升编程效率。
　　在可靠性和耐久性方面，S29GL032N90TFI04保证至少10万次的编程/擦除周期，数据保持时间长达20年，适用于长期部署且需频繁固件更新的工业和通信设备。其内置的硬件写保护机制和灵活的扇区锁定功能（包括永久和临时锁定）有效防止意外或恶意修改关键代码区域，如引导程序或安全固件。
　　该芯片支持多种擦除粒度，包括64KB主扇区、32KB中间扇区和8KB子扇区，使得开发者可以根据实际需求进行精细的分区管理，优化存储使用效率。同时，它完全符合JEDEC标准的封装和引脚定义，便于与其他厂商的兼容器件进行替代或升级，降低设计变更风险。整体而言，S29GL032N90TFI04是一款兼顾性能、可靠性和灵活性的工业级NOR Flash解决方案。

S29GL032N90TFI04广泛应用于对稳定性、可靠性和快速启动有较高要求的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中，用于存储固件、引导加载程序（Bootloader）和配置数据，支持设备的快速启动和远程固件升级（FOTA）。由于其支持XIP功能，CPU可直接从该Flash中执行代码，减少了对外部RAM的依赖，降低了系统整体成本。
　　在工业控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业网关和自动化仪表等设备，承担操作系统、控制算法和用户程序的存储任务。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保在恶劣工业环境下仍能稳定运行。
　　在汽车电子方面，尽管该型号并非AEC-Q100认证的车规级器件，但在部分车载信息娱乐系统、后装导航设备和车身控制模块中仍有应用，尤其是在非安全关键系统中用于存储应用程序和静态数据。
　　此外，S29GL032N90TFI04也适用于测试测量仪器、医疗监控设备、POS终端和安防监控系统等需要长期数据保存和高耐久性的场合。其并行接口提供较高的数据吞吐率，适合需要频繁读取大量代码或图形资源的应用场景。

S29GL032N90TF1R
　　S29GL032N90TFR2
　　S29GL032N90TFI10
　　MT28EW032ABA-B
　　S29GL032N90TFIVK