类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：3.3V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　封装类型：TO-92
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C
　　最大反向电流：100mA
　　齐纳阻抗（Zzt）：80Ω（最大）

1N756A.TR 齐纳二极管的主要特性之一是其稳定的齐纳击穿电压。在反向偏置条件下，当电压达到其标称的齐纳电压（3.3V）时，该二极管开始导通并维持一个恒定电压，即使电流在一定范围内变化。这种特性使其非常适合用于电压调节和参考电压源的设计。
　　该器件的容差为 ±5%，意味着其实际击穿电压可能在 3.135V 至 3.465V 之间变化。这对于要求较高精度的电路应用来说，仍然可以接受，并且在许多情况下可以通过外围电路进行微调。
　　1N756A.TR 的最大功耗为 500mW，使其能够在较宽的电流范围内工作。其 TO-92 封装形式不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，适合用于多种 PCB 布局环境。
　　此外，1N756A.TR 具有较低的动态阻抗（Zzt），典型值为 80Ω，这意味着它能够在负载变化时提供更稳定的电压输出。该器件的反向电流能力可达 100mA，在实际应用中应配合限流电阻使用，以防止过流损坏。
　　其宽广的工作温度范围（-65°C 至 +200°C）使其适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。

1N756A.TR 常用于各种电子电路中的电压参考、稳压和保护功能。在电源电路中，它可以作为基准电压源，为比较器、运算放大器或其他电压调节电路提供稳定的参考点。
　　在微控制器系统中，1N756A.TR 可用于为 ADC（模数转换器）提供参考电压，确保模拟信号转换的精度。它也可以用于过压保护电路中，防止敏感元件因电压过高而损坏。
　　此外，该齐纳二极管广泛应用于电池供电设备、便携式电子产品、传感器接口电路以及电压监测模块。由于其低功耗特性和稳定的电压性能，1N756A.TR 也常用于精密模拟电路中的偏置电压设置。

BZX84-C3V3, LM385-1.2, TL431, 1N4728A