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1N6642U02D 发布时间 时间:2025/7/22 12:50:41 查看 阅读:3

1N6642U02D是一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中。该器件具有精确的齐纳电压、较低的动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要稳定电压的电子系统。1N6642U02D采用SOD-123封装,适用于表面贴装技术(SMT),适合在小型电子设备中使用。

参数

齐纳电压:2.0 V
  最大齐纳电流:200 mA
  功率耗散:300 mW
  动态阻抗:10 Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123

特性

1N6642U02D的主要特性包括稳定的齐纳电压调节、较低的动态阻抗以及良好的温度稳定性。该器件的齐纳电压精度高,能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定性,从而保护后续电路不受过电压的影响。此外,其低动态阻抗有助于减少电压波动,提高电路的稳定性。1N6642U02D采用了先进的硅半导体技术,能够在高温度环境下保持良好的性能,确保长期工作的可靠性。
  该齐纳二极管的SOD-123封装设计使其适合表面贴装工艺,节省电路板空间,并提高了生产效率。此外,其较小的封装尺寸不会影响电气性能,同时提供了良好的热管理能力。1N6642U02D广泛用于各类模拟和数字电路中,作为电压参考或过压保护元件。

应用

1N6642U02D主要用于电源管理、电压调节、参考电压源以及过压保护等应用场景。例如,在电源适配器、电池管理系统、DC-DC转换器、稳压电源和传感器电路中,1N6642U02D能够提供稳定的基准电压或限制电压波动,确保系统的稳定运行。此外,它也适用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品和汽车电子系统中,作为电压保护和参考源的关键元件。

替代型号

1N5226B-T, BZT52C2V0, MMSZ5226B

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