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1N65G 发布时间 时间:2025/7/24 20:03:32 查看 阅读:8

1N65G是一种常见的硅整流二极管,广泛应用于各种电源整流、电压钳位和保护电路中。该器件具有良好的反向电压阻断能力和较高的正向电流承受能力,适用于低频整流应用。1N65G采用轴向引线封装,通常为DO-41或类似的标准封装形式,便于安装和散热。

参数

类型:硅整流二极管
  最大正向平均电流(IF(AV)):1A
  峰值反向电压(PRV):600V
  最大反向电压(VR):600V
  正向压降(VF):约1.1V(在1A时)
  最大反向漏电流(IR):5μA(最大,在额定电压下)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:DO-41(轴向引线)

特性

1N65G作为一款通用整流二极管,具备良好的电气性能和稳定性。其最大正向平均电流为1A,适用于大多数小功率整流应用。该器件的峰值反向电压为600V,使其能够适应较高的输入电压波动,适用于交流-直流转换器、桥式整流电路以及反向电压保护电路。
  1N65G的正向压降约为1.1V,在工作过程中会产生一定的功率损耗,因此在高电流应用中需要注意散热设计。其反向漏电流在额定电压下不超过5μA,确保了在高压环境下的稳定性。
  此外,1N65G具有较强的耐热能力,可在-55°C至+175°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子等较为严苛的环境条件。
  由于其广泛的应用范围和标准化封装,1N65G在市场上较为常见,易于采购和替换。

应用

1N65G主要用于电源整流电路中,如开关电源、线性电源和适配器中的交流-直流转换部分。它也可用于反向电压保护电路,防止电源极性接反对后续电路造成损坏。此外,该器件还常用于继电器、电磁阀等感性负载的续流二极管,以抑制关断时产生的反向电动势。
  在工业控制设备、照明系统和家用电器中,1N65G也广泛用于整流、隔离和电压钳位等电路设计。

替代型号

1N4006、1N66G、1N60G、1A600J、1A600V

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1N65G参数

  • 现有数量2,500现货
  • 价格1 : ¥5.18000剪切带(CT)2,500 : ¥1.83848卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)150 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA