类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.5Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（PD）：200mW
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V

2SK2838STR具有多项优良特性，适用于多种高频和低功耗应用。首先，其高耐压特性（30V漏源电压）使其适用于多种低压电源转换系统，如电池供电设备和小型电源适配器。其次，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功率损耗最小，从而提高整体系统效率。
　　此外，2SK2838STR采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和散热性能。其栅极驱动电压范围宽（最高20V），允许使用多种驱动电路，兼容多种控制IC。
　　该器件还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和信号切换电路。同时，其工作温度范围广（-55°C至+150°C），适用于工业级和消费类电子设备中的稳定运行。

2SK2838STR主要用于各类电源管理和开关控制电路中。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、小型开关电源（SMPS）、LED背光驱动电路、便携式电子设备的电源管理系统以及电池充放电保护电路。由于其高频率响应和低功耗特性，该MOSFET也适用于电机驱动、继电器驱动和传感器控制等应用场景。
　　此外，2SK2838STR可用于各类低电压、低电流的负载开关应用，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网（IoT）设备中的电源管理单元。其SOT-23封装形式也使其适用于高密度电路板布局，满足现代电子产品对小型化设计的需求。

2SK3018, 2SK2605, 2N3904