时间：2025/8/24 9:44:55
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1N659 是一款常用的硅整流二极管，广泛用于电源整流、开关电路以及保护电路中。该器件具有较高的反向耐压能力，适用于多种通用电子设备和工业控制系统。
类型：硅整流二极管
最大正向平均电流（IF(AV)）：1A
最大反向峰值电压（PRV）：1000V
最大正向压降（VF）：1.1V（在1A条件下）
最大反向漏电流（IR）：5uA（最大值，25°C时）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：DO-41（轴向引线封装）
1N659 二极管具备良好的反向耐压能力，最大反向峰值电压可达1000V，使其适用于高压整流场合。该器件的正向压降较低，在1A电流条件下最大为1.1V，有助于减少功率损耗，提高整流效率。
其DO-41封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适用于通孔安装（Through Hole），便于在PCB上固定和焊接。1N659 的工作温度范围较宽，可在-55°C至+175°C之间稳定工作，适应于多种环境条件。
此外，该二极管具有较低的反向漏电流，在25°C时最大为5uA，确保在高温或高压环境下仍能保持良好的阻断性能。这使其在电源转换器、逆变器、电池充电器等应用中表现出色。
1N659 常用于各类电源整流电路中，如AC/DC转换器、电池充电器、逆变器等。由于其高耐压特性，也适用于各种开关电源和工业控制设备中的整流与保护电路。
此外，该二极管还可用于直流电机驱动电路、继电器驱动电路以及防止反向电压损坏敏感电子元件的保护电路中。其高可靠性和宽温度范围使其成为工业自动化、消费电子和汽车电子中的常用元件。
1N4007、1N660、1N6599
