1N645-1 时间：2025/7/25 13:57:41 阅读：9

1N645-1 是一款硅材料制成的单向击穿二极管，通常用于电压调节和保护电路中。作为一款齐纳二极管，它在特定的反向电压下会导通并维持一个相对稳定的电压值，从而为电路提供过压保护或作为基准电压源使用。1N645-1 的设计使其适用于低功率电子设备，例如小型电源、电池管理系统和信号调节电路。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　齐纳电压（Vz）：5.1V
　　最大齐纳电流（Izmax）：70mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：DO-41（轴向引线）

特性

1N645-1 的核心特性在于其稳定的齐纳击穿电压。该器件在反向偏置时，电压达到5.1V时进入齐纳击穿区域，保持一个相对恒定的电压，即使输入电流在一定范围内波动，输出电压仍保持稳定。
　　此外，1N645-1 的最大齐纳电流为70mA，允许在一定范围内调整负载，同时维持电压稳定。其最大功耗为300mW，适用于低功耗应用，例如在电池供电设备中作为基准电压源或过压保护器件。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-65°C到+175°C，使其适用于多种环境条件下的工业和消费类电子产品。DO-41 封装形式便于安装，具有良好的散热性能，确保在连续工作状态下保持稳定性能。
　　值得一提的是，1N645-1 在电压调节应用中具有较低的动态阻抗，这意味着其在负载变化时仍能保持较高的电压稳定性。这种特性使其在需要精确电压参考的电路设计中尤为重要。

应用

1N645-1 主要用于需要电压稳定或过压保护的电路中。例如，在小型电源系统中，它可以作为基准电压源来调节输出电压，确保电路中的其他元件在安全范围内工作。
　　在电池管理系统中，1N645-1 可以用于监测电池电压，当电压超过设定阈值时触发保护电路，防止电池过充或损坏。此外，在信号调节电路中，它可以作为电压限制器，防止高电压信号对后续电路造成损害。
　　由于其低功耗和稳定的性能，1N645-1 也广泛应用于消费类电子产品，如便携式充电器、LED驱动电路和传感器信号调节电路。在工业控制系统中，它可用于保护PLC输入端口免受过电压影响，提高系统的可靠性和安全性。