时间：2025/12/27 9:06:07
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1N60L-K08-5060-R 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的小信号肖特基二极管，广泛应用于高频开关电源、整流电路以及信号检测等场景。该器件采用 SOD-323 表面贴装封装，具有低正向压降、快速开关响应和高可靠性等特点。其命名中的 '1N60' 代表该系列的标准型号，而后缀 '-K08-5060-R' 则表示特定的生产批次、包装形式（卷带）及参数分档规格，通常用于确保器件在特定应用中的性能一致性。这款二极管特别适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类低功耗 DC-DC 转换器。由于其优化的结电容和反向恢复时间，1N60L-K08-5060-R 在高频工作条件下表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统整体能效。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，并具备良好的热稳定性和抗湿性，适合自动化贴片生产工艺。
类型：肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：60 V
平均整流电流（IO）：300 mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5 A
正向电压（VF）：典型值 0.48 V（在 10 mA 下）
最大反向漏电流（IR）：5 μA（在 60 V 下）
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
封装：SOD-323
结电容（CJ）：约 15 pF（在 1 V 下）
反向恢复时间（trr）：≤ 4 ns
1N60L-K08-5060-R 具备优异的高频开关性能，得益于其肖特基势垒结构，该器件在正向导通时展现出非常低的电压降，通常在 10 mA 工作电流下仅为 0.48 V 左右。这一特性显著降低了导通损耗，使得它在低电压、小电流的应用中极为高效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。此外，其快速的反向恢复时间（trr ≤ 4 ns）确保了在高频开关操作中几乎无反向恢复电荷积累，从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性与效率。
该器件的反向漏电流控制在极低水平，在室温下最大为 5 μA，在高温环境下也保持相对稳定，这有助于减少待机功耗并提升电路的整体能效。同时，其最大重复反向电压为 60 V，适合用于 5 V 至 24 V 的直流电源系统中的整流或防反接保护。SOD-323 封装体积小巧，仅为 1.7 mm × 1.25 mm × 1.0 mm，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。
热性能方面，1N60L-K08-5060-R 能在 -55 °C 至 +125 °C 的结温范围内稳定工作，具备良好的热稳定性。其结电容约为 15 pF，在高频信号处理中表现出较低的容抗，适用于射频检波、包络检测和高速逻辑电平箝位等场合。此外，该器件通过了多项国际环保认证，不含铅和有害物质，符合 RoHS 和 REACH 标准，适用于消费类电子产品的大规模量产。
1N60L-K08-5060-R 广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的 DC-DC 转换器续流二极管、电池充电管理电路中的防倒灌二极管、以及低压电源轨之间的隔离二极管。由于其快速响应特性，该器件也常用于高频开关电源中的输出整流环节，特别是在反激式（Flyback）和降压型（Buck）拓扑结构中发挥关键作用。
在通信设备中，1N60L-K08-5060-R 可作为射频信号检波器使用，利用其低阈值电压和快速响应能力精确提取调制信号的包络信息，适用于无线遥控、红外接收模块和简单的 AM 解调电路。此外，在数字逻辑电路中，它可以用于电平移位和信号箝位，防止输入信号超出安全范围而损坏后续 IC。
工业控制领域中，该二极管可用于传感器信号调理电路中的保护元件，抑制瞬态反向电压或静电放电（ESD）冲击。在汽车电子系统中，虽然其额定电压较低，但在车载信息娱乐系统的低压电源部分仍可找到其应用踪迹。此外，由于其小尺寸封装，非常适合用于高密度印刷电路板（PCB）布局，尤其是在智能手机、蓝牙耳机、智能手表等紧凑型设备中实现高效的电源管理和信号控制功能。
BAT54CWS-E3-08
RB520S-40T1G
SKD10A
