类型：肖特基二极管
　　极性：单极
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IO）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压降（VF@IF=300mA）：通常为750mV，最大可达1000mV
　　最大反向漏电流（IR@VR=60V, 25°C）：≤5μA
　　反向恢复时间（trr）：≤4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523
　　安装类型：表面贴装（SMT）

1N60G-TN3-R的核心特性之一是其低正向导通压降，在典型工作电流下可低至750mV，这意味着在导通状态下能量损耗更小，从而提高了电源转换效率。这一优势在电池供电设备如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备中尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，较低的VF也减少了器件本身的发热，提升了系统热稳定性。
　　另一个关键性能指标是其极短的反向恢复时间（trr ≤ 4ns），由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非PN结，不存在少数载流子存储效应，因此几乎无反向恢复电荷，极大降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这使其非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及开关电源中的续流或箝位功能。
　　该器件具备高达60V的反向耐压能力，在同类小型封装肖特基二极管中属于较高水平，可在中低压电源系统中安全运行。尽管额定平均整流电流为300mA，但由于其良好的散热设计和材料选择，在瞬态负载条件下仍能承受较高的脉冲电流（IFSM达8A），增强了系统的鲁棒性。
　　SOD-523封装尺寸小巧（约1.2×0.8×0.5mm），便于在高密度印刷电路板上布局，支持自动化贴片生产，提高组装效率。此外，产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证，表明其在恶劣环境下的长期稳定性较强，可用于汽车电子中的非主控模块。整体而言，1N60G-TN3-R结合了高性能与小型化的优点，是一款适用于现代电子系统的理想通用型肖特基二极管。

1N60G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源路径管理，例如在USB充电接口、锂电池充放电保护电路中作为防反接或隔离二极管使用，防止电流倒灌损坏前端电源。
　　在DC-DC转换器电路中，该器件常被用作续流二极管（Flyback Diode），特别是在升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构中，利用其快速响应能力和低导通损耗来提升整体转换效率。此外，在LDO稳压器输出端或负载切换电路中，也可作为理想的OR-ing二极管实现多电源冗余选择。
　　通信模块如Wi-Fi模组、蓝牙模块、Zigbee射频单元中，1N60G-TN3-R可用于信号路径的钳位保护，抑制瞬态电压尖峰对敏感IC造成损害。其快速响应特性可以有效吸收ESD或电感耦合产生的反向电动势。
　　在工业控制领域的小型传感器供电电路、PLC输入滤波单元中，该二极管也能发挥可靠的整流与保护作用。此外，因其符合绿色环保标准，也被广泛用于智能家居设备、物联网终端节点等注重能效与环保的设计方案中。

MMBD4148W-7-F
　　RB751S-40
　　BAT54C-WT
　　BAS40-04W