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IRL3803S 发布时间 时间:2025/6/19 1:45:57 查看 阅读:3

IRL3803S 是一款 N 沱道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用先进的沟槽技术,能够提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式为 SO-8,适合在高效率开关电源、电机驱动、负载开关等应用中使用。
  IRL3803S 的设计使其能够在高频开关条件下保持高效能表现,并且由于其低导通电阻特性,可以减少功率损耗,从而提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:开态 12ns / 关态 16ns
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRL3803S 具有非常低的导通电阻,这使得它成为需要高效率和低功耗应用的理想选择。此外,该器件具备快速开关速度和低栅极电荷,可显著降低开关损耗。
  它采用了 SO-8 封装,这种封装形式具有良好的散热性能,同时占用较小的 PCB 面积。IRL3803S 还支持高达 175℃ 的结温范围,确保在高温环境下仍能稳定工作。
  此器件特别适合于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载开关等场景。通过优化的设计,IRL3803S 可以在多种条件下提供卓越的性能表现。

应用

IRL3803S 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 同步整流电路
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池保护
  6. 工业自动化控制
  7. 汽车电子系统中的功率管理
  由于其出色的电气特性和可靠性,IRL3803S 成为众多工程师在设计高性能功率转换电路时的首选元件之一。

替代型号

IRL3803, IRLZ38N

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IRL3803S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 71A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3803S