类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5A（8.3ms半正弦波）
　　正向电压降（VF）：≤0.6V @ IF = 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ VR = 60V, TA=25°C；可达500μA @ 高温条件下
　　反向恢复时间（trr）：≤10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-41（Axial Lead）

1N60-LC1 肖特基二极管的核心优势在于其基于金属-半导体接触形成的肖特基势垒结构，这种结构显著降低了正向导通电压，从而在小电流应用中表现出优异的能量转换效率。传统硅PN结二极管的正向压降通常在0.7V左右，而1N60-LC1可将这一数值控制在0.6V以下，在200mA负载下甚至可低至0.45V，这意味着在相同工作条件下，其导通损耗仅为传统二极管的约三分之二，对于电池供电设备而言，这一特性有助于延长续航时间。此外，由于肖特基二极管没有少数载流子的储存效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间通常小于10纳秒，远优于普通整流二极管（如1N4007的trr可达数微秒），使其非常适合用于高频开关电路，例如小型DC-DC转换器中的续流或箝位功能。
　　尽管1N60-LC1具备诸多优点，但也存在一定的局限性。首先，其反向漏电流相对较大，特别是在高温环境下，漏电流可能急剧上升，影响电路稳定性，因此在高阻抗或精密检测电路中应谨慎使用。其次，该器件的最大反向耐压仅为60V，限制了其在高压环境下的适用性，若实际应用中存在电压瞬变或浪涌风险，建议配合TVS管或其他过压保护措施以提高系统可靠性。另外，虽然其额定平均整流电流为200mA，但在高温环境中需降额使用，避免因散热不良导致结温超限而损坏。从制造角度看，1N60-LC1通常采用玻璃钝化工艺增强表面稳定性，并通过严格的筛选测试确保产品一致性，部分厂商还提供符合RoHS环保标准的版本，适应现代绿色电子产品的需求。综上所述，1N60-LC1是一款性价比高、性能可靠的微型肖特基二极管，特别适用于空间受限且对效率要求较高的低功率电子系统。

1N60-LC1 肖特基二极管因其低正向压降和快速响应特性，被广泛应用于多种低功率电子系统中。最常见的用途之一是作为小电流整流元件，用于AC-DC转换器中的次级侧整流，尤其在输出电压较低（如5V或3.3V）的小型开关电源适配器中，能够有效降低导通损耗，提升整体转换效率。此外，它也常用于DC-DC升压或降压变换器中作为续流二极管（Flyback Diode），在电感释放能量时提供低阻抗回路，防止电压反冲损坏主控芯片。在便携式电子设备如蓝牙耳机、智能手环、无线传感器节点等产品中，1N60-LC1可用于电池充放电管理电路中的防反接保护，防止电池反向插入造成主板损坏。
　　另一个重要应用场景是信号解调与检波电路，尤其是在射频识别（RFID）标签或无源感应读卡器中，利用其低阈值电压特性可以更高效地从微弱交流信号中提取直流成分。此外，在LED照明驱动电路中，1N60-LC1可充当泄放二极管，确保关断瞬间电感储能安全释放，避免LED灯珠受到反向电压冲击。工业控制领域中，该器件也可用于光耦输入端的极性保护，或者在数字I/O接口中实现电平隔离与钳位功能。由于其封装小巧（DO-41）、成本低廉且易于焊接，1N60-LC1非常适合手工焊接原型开发与中小批量生产。在汽车电子辅助系统中，如车载USB充电模块或小型继电器驱动电路，该二极管也能发挥良好的性能。总之，凡是需要在60V以下、200mA以内实现高效、快速开关的场合，1N60-LC1都是一个可靠且经济的选择。

1N60P
　　MBR0560T
　　BAT54C
　　SS14
　　1N5819