时间：2025/8/5 17:42:01
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IXFH76N07是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用TO-247封装，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：76A
导通电阻（Rds(on)）：最大5.8mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXFH76N07具有优异的导通性能和快速的开关特性，能够在高频条件下保持较低的开关损耗。其低Rds(on)特性使得在高电流工作时也能保持较低的温升，从而提高系统的整体效率。
该器件采用先进的平面技术制造，具备良好的热稳定性和可靠性。此外，IXFH76N07内置了防静电保护（ESD）结构，增强了其在复杂工作环境下的抗干扰能力。
由于其高电流容量和良好的热管理性能，IXFH76N07非常适合用于需要高功率密度的设计中。其TO-247封装形式也便于安装散热片，以进一步提升散热效果。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~20V），可以与多种驱动电路兼容，便于设计和集成。
IXFH76N07广泛应用于各种高功率电子系统中，如高效率开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、UPS不间断电源、工业电机控制、电池管理系统以及太阳能逆变器等。
在电动车和混合动力汽车领域，该器件也常用于车载充电器和电机驱动系统中。由于其优异的热稳定性和高可靠性，IXFH76N07也非常适合用于对安全性和稳定性要求较高的工业控制和自动化设备。
此外，IXFH76N07还可用于音频放大器的电源部分，以提供稳定且低噪声的电源供应。
IXFH76N07P, IXFH76N07T2, IXFH76N07Q
