时间：2025/7/9 10:20:55
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1N5917B 是一款常见的硅材料齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节、参考电压和过压保护等电路应用中。它具有稳定的反向击穿电压特性，能够在特定的工作范围内提供精确的电压值，同时具备较高的稳定性和可靠性。
该器件通常被应用于消费电子、工业控制设备以及通信设备等领域，能够有效保证电路中的电压稳定性。
型号：1N5917B
类型：齐纳二极管
齐纳电压(Vz)：18V
功率耗散(Pzt)：1.3W
正向电流(Iz)：40mA
反向漏电流(Ir)：5uA（最大值，在25℃条件下）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DO-41
1N5917B 的主要特性包括：
1. 稳定的齐纳电压：其齐纳电压为18V，适用于多种需要恒定电压的应用场景。
2. 较高的功率耗散能力：1.3W 的功率耗散使其可以在较高功率需求下正常工作。
3. 低反向漏电流：在额定电压下，其最大反向漏电流仅为5uA，从而减少了不必要的功耗。
4. 宽工作温度范围：从-55℃到+175℃，使其适合在极端环境条件下使用。
5. 小型封装：采用 DO-41 封装，便于安装和集成到各种电路设计中。
1N5917B 主要用于以下应用场景：
1. 电源稳压：在简单的线性稳压电路中，作为基准电压源使用。
2. 过压保护：可用于防止输入电压过高对敏感元件造成损坏。
3. 信号电平转换：在不同电平系统之间进行信号匹配或转换。
4. 消除瞬态干扰：吸收电路中的电压尖峰，提高系统的抗干扰能力。
5. 工业控制和消费电子产品中的电压参考点。
1N5916B, 1N5918B
