UDQ2547EB 时间：2025/7/30 4:03:17 阅读：17

UDQ2547EB 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛应用于需要高效能开关操作的电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。UDQ2547EB通常用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等高要求的应用场景。该MOSFET采用高密度封装，具有良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：H8FL（表面贴装）

特性

UDQ2547EB具有多项显著的技术特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为4.7mΩ，从而降低了导通损耗，提高了整体能效。其次，UDQ2547EB具有高达100A的连续漏极电流能力，适用于高电流负载应用，如电动工具、电机驱动和电源转换器。此外，该器件的漏源电压为30V，栅源电压为20V，能够承受较高的电压应力，具有良好的可靠性和稳定性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种恶劣的工作环境，包括高温和低温条件。其H8FL封装形式具有良好的散热性能，能够有效降低器件的结温，延长使用寿命。同时，该封装支持表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用，提高了生产效率和装配可靠性。
　　UDQ2547EB还具有快速开关特性，能够实现高效的开关操作，减少开关损耗，适用于高频电源转换应用。此外，其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便与各种控制芯片配合使用。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和封装设计上都达到了较高水平，是多种高功率应用场景的理想选择。

应用

UDQ2547EB广泛应用于需要高效功率管理的多个领域。在汽车电子方面，该器件可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。在工业控制领域，UDQ2547EB适用于伺服电机驱动器、工业自动化设备和高功率LED照明系统。此外，该MOSFET还可用于电源管理模块，如同步整流器、电池管理系统（BMS）和高效率电源适配器。由于其高电流能力和良好的热稳定性，UDQ2547EB也常用于电动工具、无人机动力系统和机器人驱动器。