类型：肖特基二极管
　　封装：DO-201AD
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大有效值电压（VRMS）：70V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（单个半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压降（VF）：0.52V @ 1A, 0.95V @ 3A
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 25°C, 100V；5.0mA @ 125°C, 100V
　　最大反向恢复时间（trr）：≤35ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C

1N5828的核心特性源于其肖特基势垒结构，这种结构通过金属与N型半导体接触形成势垒，从而实现比传统硅PN结二极管更低的正向导通压降。在典型工作条件下，当通过1A电流时，其正向压降仅为0.52V左右，而在满载3A时也仅达到约0.95V，这意味着在大电流应用中能显著减少功率损耗并降低热生成，提高整体电源转换效率。
　　这一低VF特性尤其适用于电池供电设备或高效率要求的DC-DC变换器中，有助于延长续航时间或减小散热器尺寸。同时，由于肖特基二极管的工作机制不涉及少数载流子的注入与复合，因此其反向恢复时间非常短，通常不超过35ns，远优于普通整流二极管的微秒级恢复时间。这使得1N5828非常适合用于高频开关电路，如开关模式电源（SMPS）、PWM控制器输出整流以及逆变器拓扑结构中，可以有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）。
　　此外，该器件具备高达50A的非重复峰值浪涌电流承受能力，能够在短时间内应对输入端的电流冲击，增强了系统的鲁棒性。尽管如此，由于其金属-半导体结对高温和高压较为敏感，1N5828的最大反向漏电流随温度升高而显著增加，在125°C高温下可达到5mA，设计时需注意热管理以防止漏电导致的额外功耗甚至误动作。总体而言，1N5828在效率、速度与成本之间实现了良好平衡，是一款成熟可靠的中功率肖特基整流解决方案。

1N5828常用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。最常见的应用场景包括开关电源中的次级侧整流，特别是在低输出电压（如3.3V、5V、12V）的AC-DC和DC-DC转换器中，利用其低正向压降来提升整体转换效率。在便携式电子设备中，例如笔记本电脑适配器、手机充电器和USB电源模块，1N5828能够有效降低发热，提高能源利用率。
　　此外，它也被广泛应用于太阳能光伏系统中的旁路二极管，用于防止阴影遮挡引起的热斑效应，保护电池组件不受损坏。在逆变器和UPS不间断电源系统中，1N5828可用于续流或箝位功能，确保感性负载断开时的能量泄放路径，避免电压尖峰损坏主控开关器件。在电机驱动和电磁阀控制电路中，该二极管常作为续流二极管连接在继电器或线圈两端，吸收反电动势，保护驱动晶体管或MOSFET。
　　由于其具备一定的浪涌电流承受能力，1N5828也可用于电源输入端的极性反接保护，防止因接线错误造成设备损坏。在汽车电子系统中，虽然其并非专为汽车级认证设计，但在某些非关键辅助电路中仍可使用，前提是工作环境温度和电气应力在其规格范围内。总之，1N5828凭借其优良的电学性能和经济性，成为多种工业、消费和通信设备中不可或缺的基础元件之一。

SR3100,SB3100,MBR3100,1N5824,1N5827