类型：肖特基二极管
　　封装：DO-201AD
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：3A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A（单个半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.525V，最大值0.6V（在3A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大5mA（在100V, TJ=25°C）；高温下可达500μA（TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约50°C/W（取决于PCB布局）
　　反向恢复时间（trr）：典型值≤10ns，实际接近零（无少子存储效应）

1N5827作为一款高性能肖特基二极管，其核心优势在于低正向导通压降与快速响应能力。由于采用了金属-半导体接触结构，该器件在导通状态下能有效降低能量损耗，尤其适用于对效率要求较高的电源转换系统。在3A满载工作条件下，其正向压降仅为0.525V左右，相比传统硅整流二极管（如1N540x系列）可减少近一半的导通功耗，从而显著提升整体能效并降低散热设计难度。该特性使其特别适合用于DC-DC变换器、AC适配器及太阳能充电控制器等场景。
　　另一个关键特性是其近乎理想的开关行为。由于肖特基二极管不存在P-N结中的少数载流子存储效应，因此没有明显的反向恢复时间（trr），理论上仅存在极短的结电容充放电过程，通常测量值小于10ns。这一特点极大减少了开关过程中的尖峰噪声和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性，同时避免了因反向恢复电流引起的额外损耗，这对于高频开关电源（如Boost、Buck拓扑）至关重要。
　　1N5827还具备较强的浪涌电流承受能力，其峰值非重复浪涌电流可达50A，能够在短时间内应对输入端的瞬态过流冲击，例如开机瞬间的电容充电电流，增强了系统的鲁棒性。此外，其宽泛的工作结温范围（-65°C至+125°C）使其可在恶劣环境温度下稳定运行，结合合理的PCB布局和散热设计，可实现长时间可靠工作。
　　然而，该器件也存在一定局限性，主要体现在相对较高的反向漏电流上。在高温环境下（如125°C），反向漏电流可能达到500μA甚至更高，这在高阻抗或低功耗待机电路中需引起注意，以防造成不必要的静态功耗增加。此外，最大反向电压仅为100V，限制了其在高压母线系统中的应用，不能替代更高耐压等级的快恢复或超快恢复二极管。总体而言，1N5827凭借其高效、快速、可靠的综合性能，成为中等功率开关整流应用中的主流选择之一。

1N5827广泛应用于各类中等功率直流电源系统中，尤其适合作为输出整流二极管使用。常见于开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节，特别是在Buck、Boost和Flyback等拓扑结构中，利用其低正向压降特性提高转换效率，减少发热。在低压大电流输出场景（如5V/3A或12V/2.5A）中，相较于传统整流管具有明显优势。
　　该器件也常用于逆变器电路中作为续流二极管（Freewheeling Diode）或钳位二极管，用以保护开关元件免受感性负载产生的反电动势损坏。在电机驱动、继电器控制和电磁阀供电等含有电感元件的应用中，1N5827可快速导通以泄放储能，防止电压尖峰击穿MOSFET或IGBT。
　　此外，1N5827可用于太阳能光伏系统中的防反接和组串隔离功能，防止电池板在阴影遮挡时产生反向电流导致“热斑效应”。在便携式设备充电管理模块中，它也可作为电源路径切换或极性反接保护元件，确保主电路的安全。
　　由于其快速响应特性，1N5827还可用于高频整流场合，如无线充电接收端的全波整流桥臂之一。在UPS不间断电源、LED驱动电源、汽车电子电源转换器等领域也有广泛应用。只要工作电压不超过100V且平均电流不超出3A的设计需求，1N5827均是一个经济高效的解决方案。

SB3100
　　SR3100
　　1N5824
　　1N5829
　　MUR310