类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压：40V
　　最大平均正向电流：1A
　　正向压降（IF=1A时）：0.55V（最大）
　　反向漏电流（VR=40V时）：0.5mA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA
　　安装类型：表面贴装

1N5819_R2_00001肖特基二极管具有多项优异特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其低正向压降（在1A电流下最大为0.55V）显著降低了功率损耗，提高了电源转换效率，这在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和整流电路中尤为重要。其次，该器件具备快速恢复时间（trr），使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提升系统响应速度。
　　此外，1N5819_R2_00001采用了SMA封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于空间受限的PCB设计。其最大工作温度可达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。该器件的反向漏电流在40V时最大为0.5mA，表明其在高温或高电压条件下仍具有良好的阻断能力，有助于提高电路的可靠性。
　　从材料和制造工艺来看，ROHM的1N5819_R2_00001采用了高质量的半导体材料和严格的生产标准，确保了器件的一致性和长期稳定性。其设计符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的环保要求。

1N5819_R2_00001肖特基二极管广泛应用于多种电子设备和系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电电路，以提高能效和减小电路尺寸。在高频电路中，如RF整流器和检波电路，该器件的快速恢复特性使其成为理想选择。
　　此外，1N5819_R2_00001也常用于极性保护电路，以防止电源反接损坏后级电路，常见于USB电源管理、便携式电子产品和汽车电子系统中。由于其紧凑的SMA封装，该器件也广泛用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在工业自动化和控制系统中，1N5819_R2_00001可用于电机驱动电路中的自由轮（flyback）二极管，以保护MOSFET或IGBT器件免受电压尖峰的损害。其高可靠性和耐温能力使其适用于工业环境中的恶劣条件。

1N5819WQ-13-F, 1N5819-T, 1N5819-M