时间：2025/8/16 12:22:19
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1N5819W SL 1A 是一款常用的肖特基二极管（Schottky Diode），采用表面贴装封装（SMA封装），具有较低的正向压降和快速的开关特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、续流二极管、电池充电电路以及各种需要高效能整流的场合。
类型：肖特基二极管
最大正向电流（IF）：1A
最大反向峰值电压（VR）：40V
正向压降（VF）：0.375V（典型值，IF=1A）
反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值，VR=40V，25℃）
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
封装形式：SMA（表面贴装）
1N5819W SL 1A 的核心特性在于其作为肖特基二极管的高效能表现。其正向压降相对较低，通常在0.375V左右，相比传统的硅整流二极管（如1N400x系列）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率。
该器件具备快速的恢复时间（trr），使其在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、PWM整流、反激式电源等场合。
此外，1N5819W SL 1A 的最大正向电流为1A，反向耐压为40V，适用于中等功率的电源系统。其SMA封装形式便于自动化贴片生产，且具备良好的散热性能。
工作温度范围宽，从-55℃到+125℃，适合工业级应用环境。反向漏电流在正常工作条件下较小，确保了器件在高温下的稳定性。
1N5819W SL 1A 广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源适配器中的次级整流电路；DC-DC转换器中的整流和续流二极管；电池充电电路中的隔离和保护；太阳能逆变器和UPS系统中的功率整流；汽车电子系统中的电压调节模块；以及各类开关电源中的高频整流和能量回馈控制。
由于其低正向压降和快速响应特性，特别适合需要高效率和高稳定性的应用场合。
1N5819WS, 1N5819W-G, 1N5819W-T, SB140, 1N5817（较低耐压版本）
