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1N5817-T 发布时间 时间:2025/12/26 9:23:17 查看 阅读:10

1N5817-T是一款表面贴装的肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、高频整流场合。该器件采用高效的半导体工艺制造,具有较低的正向电压降和快速的反向恢复特性,适合在开关电源、DC-DC转换器以及极性保护等电路中使用。其封装形式通常为SMA(DO-214AC),便于自动化贴片生产,适用于现代高密度PCB布局设计。1N5817-T的工作温度范围较宽,可在-65°C至+125°C环境下稳定运行,具备良好的热稳定性和可靠性。作为一款通用型肖特基二极管,它在效率敏感型应用中表现出色,尤其在需要降低功耗和提高系统效率的设计中备受青睐。
  该器件的主要优势在于其低VF(正向压降)特性,典型值约为0.45V至0.5V,在1A电流下可显著减少导通损耗,从而提升整体能效。同时,由于其金属-半导体结结构,反向恢复时间极短,几乎无反向恢复电荷,有效抑制了开关过程中的电压尖峰与电磁干扰(EMI)。尽管其反向耐压较低(一般为20V),限制了在高压场景的应用,但在便携式电子设备、电池供电系统及低压电源模块中仍具有不可替代的地位。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  正向平均电流(IF(AV)):1A
  最大正向电压(VF @ IF):0.5V @ 1A
  反向重复峰值电压(VRRM):20V
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 20V
  最大反向恢复时间(trr):< 10ns
  工作结温范围:-65°C 至 +125°C
  热阻抗(RθJA):约150°C/W
  安装类型:表面贴装

特性

1N5817-T的核心特性之一是其低正向压降(Low Forward Voltage Drop),典型值在0.45V至0.5V之间,测试条件为1A直流电流。这一特性使其在大电流导通状态下产生的功率损耗远低于传统PN结二极管,例如1N400x系列。以一个1A工作电流为例,其导通损耗仅为P = V × I = 0.5V × 1A = 0.5W,相比普通硅二极管的0.7V~1V压降,节能效果明显。这在电池供电设备或高效电源系统中尤为重要,能够延长续航时间并减少散热需求。此外,低VF也有助于提升DC-DC转换器的整体效率,特别是在同步整流尚未普及的低成本设计中,常被用作续流或整流元件。
  另一个关键特性是其快速开关能力,得益于肖特基势垒结构,该器件几乎没有少数载流子存储效应,因此反向恢复时间(trr)极短,通常小于10纳秒。这意味着在高频开关应用中(如开关电源、PWM控制电路),1N5817-T能够迅速切断反向电流,避免出现反向恢复引起的电压振荡和能量损耗,从而降低电磁干扰(EMI)并提高系统稳定性。相比之下,普通整流二极管的trr可能达到数百纳秒甚至微秒级,严重影响高频性能。
  该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,结温范围从-65°C到+125°C,适应各种严苛环境。SMA封装提供了较好的散热路径,并支持自动化贴片生产,适合大规模制造。虽然其反向击穿电压仅为20V,限制了在高压场景下的应用,但对于12V以下系统(如USB电源、嵌入式主板电源轨)已完全满足要求。此外,其较低的反向漏电流(典型值0.5mA@20V)也保证了在待机或低功耗模式下的安全性。总体而言,1N5817-T是一款性价比高、实用性广的表面贴装肖特基二极管,特别适用于对效率、尺寸和成本有综合考量的现代电子设计。

应用

1N5817-T广泛应用于各类中小功率电源转换系统中。最常见的用途是在开关电源(SMPS)中作为输出整流二极管,尤其是在反激式(Flyback)或降压型(Buck)拓扑结构中处理低压大电流输出,如5V或3.3V电源轨。由于其低正向压降和快速响应特性,能够在高频工作条件下保持较高的转换效率,减少发热问题,因此被大量用于AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源等消费类电子产品中。
  在DC-DC转换器模块中,1N5817-T常被用作续流二极管(Freewheeling Diode)或防倒灌二极管,确保电感电流在开关管关断时有连续通路,防止电压反冲损坏主控芯片。这类应用常见于车载电子、工业控制板和通信设备的电源管理单元中。此外,在电池供电系统(如移动电源、便携式仪器)中,该器件可用于电池极性接反保护或双电源切换电路,利用其单向导通性阻止异常电流流动,保障后级电路安全。
  由于其表面贴装封装(SMA)体积小巧,1N5817-T也非常适合空间受限的高密度PCB设计,例如智能手机外围电路、物联网模块、Wi-Fi路由器电源部分等。在这些应用中,除了电气性能外,贴片封装还能提高生产效率和产品一致性。此外,它还可用于信号整流、钳位电路和噪声抑制等模拟电路中,发挥其快速响应的优势。总的来说,只要工作电压不超过20V且需要高效整流的场景,1N5817-T都是一个可靠且经济的选择。

替代型号

SS120
  SR520
  MBR120
  BAT54C
  1N5819-T

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1N5817-T参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)450mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 20V
  • 电容@ Vr, F110pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称1N5817CT1N5817CT-ND1N5817DICT