1N5622 是一种常用的硅整流二极管,广泛用于电源整流、反向电压保护和通用开关应用。该器件由美国Microsemi公司制造,采用DO-5封装,具备良好的热稳定性和可靠性。1N5622 的最大平均整流电流为1.5A,适用于中等功率的电源电路中。该二极管具有快速恢复时间,使其在高频整流应用中表现出色。
最大重复峰值反向电压:100V
最大平均整流电流:1.5A
峰值浪涌电流(8ms):50A
最大正向压降(IF=1.5A):1.2V
最大反向漏电流(VR=100V):5μA
工作温度范围:-65°C 至 +175°C
封装类型:DO-5
1N5622 二极管的核心特性之一是其高耐压能力,最大重复峰值反向电压可达100V,这使其非常适合用于高电压整流应用。此外,该器件具有较高的浪涌电流承受能力,在瞬态条件下仍能保持稳定运行,最大浪涌电流可达50A。其快速恢复时间(通常在微秒级别)也使其适用于高频开关电路,从而减少了能量损耗和电磁干扰。该器件的正向压降较低,有助于提高电源转换效率。1N5622 采用DO-5金属封装,具备良好的散热性能,能在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于工业控制、电源适配器、电池充电器和电机驱动电路等应用场景。
1N5622 通常用于电源整流电路中,特别是在开关电源、直流电源适配器和电池充电器中广泛使用。由于其良好的高频响应和快速恢复特性,它也可用于高频整流和自由轮流二极管(flyback diode)保护电路。此外,该器件还适用于反向电压保护电路,防止电源极性接反对后级电路造成损害。在工业自动化设备、通信电源模块、LED照明驱动器以及汽车电子系统中均有广泛应用。
1N5623, 1N5621