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1N5551 发布时间 时间:2025/12/24 17:05:51 查看 阅读:42

1N5551是一种常用的NPN型高频晶体管,广泛应用于射频和中频放大电路中。该晶体管具有较高的截止频率和良好的增益特性,适合用于需要高频响应的电子电路中。1N5551的封装形式通常为TO-92,具有较好的稳定性和可靠性。

参数

类型:NPN晶体管
  封装类型:TO-92
  最大集电极电流(IC):0.1A
  最大集电极-发射极电压(VCEO):150V
  最大集电极-基极电压(VCBO):150V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):20-250(根据等级不同)

特性

1N5551晶体管具有以下主要特性:
  首先,该晶体管具备较高的过渡频率(fT),达到100MHz,使其适用于高频放大电路。
  其次,1N5551的电流增益(hFE)范围较广,从20到250不等,具体取决于晶体管的等级,这使得它能够适应多种放大需求。
  此外,1N5551具有较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和集电极-基极击穿电压(VCBO),分别为150V,适用于中高压应用。
  该晶体管的最大功耗为300mW,在TO-92封装中表现出良好的热稳定性。
  1N5551的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业和汽车等严苛环境下的应用。
  最后,该晶体管的封装形式小巧,便于在电路板上安装和使用。

应用

1N5551晶体管常用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中,如在收音机、电视机和其他通信设备中作为信号放大器使用。此外,它也可用于开关电路、电压调节器以及各种通用放大电路中。由于其较高的击穿电压和良好的高频特性,1N5551在需要中高压和高频响应的电路中表现出色。

替代型号

2N3904, 2N2222

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1N5551参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格158 : ¥48.05715散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 9 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)2 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳B,轴向
  • 供应商器件封装B,轴向
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C