时间：2025/8/20 20:21:49
阅读：10
L50S50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的高效能、低电压、N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各种电源管理模块。L50S50采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，能够在低电压条件下提供优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：最大5mΩ（在VGS=10V时）
封装形式：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C至175°C
L50S50 MOSFET具有多项先进特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率；其次，它采用了先进的沟槽式工艺技术，使器件在高温下仍能保持稳定工作，具有优异的热性能。此外，L50S50的封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热能力，适用于紧凑型高功率密度设计。
L50S50的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，便于与不同类型的驱动电路兼容。该器件的封装无铅、符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。在极端工作条件下，L50S50表现出良好的稳定性和可靠性，适用于工业、汽车、通信等对可靠性要求较高的应用场景。
L50S50广泛应用于各种电源管理系统中，包括但不限于：高效DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、电信设备电源模块、工业自动化控制设备以及新能源系统（如光伏逆变器、储能系统）等。由于其优异的导通性能和热稳定性，L50S50特别适合用于高功率密度和高效率要求的设计中。
IPD50N06S4-03, FDS5670, STD50N03LT, NDS5560
