1N5370B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N5370系列。它广泛应用于电路保护、开关电源和逆变器等场景中,主要用于箝位和吸收过电压。该二极管具备高反向电压承受能力,能够有效防止瞬态电压对敏感电子设备的损害。
这种二极管通过利用雪崩击穿效应来实现稳定的箝位功能,同时保持较低的正向压降,确保高效能表现。
最大反向工作电压:700V
峰值脉冲电流:2.3A
最大平均整流电流:1A
正向电压(If=1A):1.1V
反向漏电流(Vr=700V, 25°C):5μA
结电容:约4pF
工作温度范围:-65°C至+175°C
1N5370B具有高反向耐压能力,可达到700V,适用于需要较高电压保护的应用环境。
其峰值脉冲电流高达2.3A,能够承受瞬时大电流冲击而不损坏。
由于采用了雪崩整流技术,1N537的工作性能。
它具备较低的正向压降(在1A电流下为1.1V),从而减少了功率损耗并提高了效率。
工作温度范围宽广,从-65°C到+175°C,适合各种恶劣环境下的应用需求。
此外,该二极管的封装形式通常为DO-41或DO-204AD,便于安装与散热设计。
1N5370B主要应用于电力电子设备中的过压保护电路。
它可以作为开关电源中的箝位二极管,用于吸收感性负载产生的尖峰电压。
在电机驱动和逆变器系统中,1N5370B被用来保护控制芯片和其他关键元件免受瞬态电压的影响。
此外,该二极管也适用于电信设备、工业自动化设备以及其他需要高可靠性保护方案的场合。
1N5370
1N5370A