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1N5369BRLG 发布时间 时间:2025/5/12 8:59:19 查看 阅读:4

1N5369BRLG是一种常见的硅雪崩整流二极管,属于1N53xx系列。该器件主要用于瞬态电压抑制(TVS)和电路保护应用,能够有效吸收高能量的瞬态脉冲,保护敏感电子设备免受过压损坏。
  这种二极管具有快速响应时间、低漏电流以及较高的浪涌电流能力,非常适合用于交流电源线、数据通信线路以及其他需要保护的电子系统中。

参数

最大反向工作电压:75V
  击穿电压:80V
  最大峰值脉冲电流:150A
  最大反向电流:1μA
  结电容:2pF
  响应时间:1ps

特性

1N5369BRLG具备出色的瞬态电压抑制性能,其核心特点包括以下几点:
  1. 高浪涌电流承受能力,可以达到150A,适用于苛刻的工作环境。
  2. 击穿电压稳定,误差范围较小,保证了在不同应用场景下的可靠性。
  3. 快速的响应时间,能够迅速抑制瞬态电压脉冲,确保被保护电路的安全。
  4. 结电容较低,只有2pF,这使其非常适合高频信号线路中的保护任务。
  5. 工作温度范围宽广,通常为-55°C至+150°C,适合各种极端环境条件下的使用。
  6. 封装形式紧凑,便于设计和安装,广泛应用于表面贴装技术(SMT)场景。

应用

1N5369BRLG主要应用于以下几个领域:
  1. 交流电源输入端口保护,防止雷击或开关操作引起的瞬态过压。
  2. 数据通信接口保护,例如RS-232、RS-485等串行通信线路。
  3. 电子设备内部关键节点的过压保护,如传感器输出、控制信号线。
  4. 汽车电子系统的瞬态电压抑制,特别是针对负载突降事件的防护。
  5. 工业自动化设备中的信号链保护,避免外部干扰导致设备故障。

替代型号

1N5369B, SMBJ80A, P6KE80CA

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1N5369BRLG参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)51V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 38.8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)27 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装剪切带 (CT)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5369BRLGOSCT