类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.5A
　　导通电阻(Rds(on))：36mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN10
　　功率耗散(Pd)：2.5W

RON-107498MR1 采用先进的Trench MOS技术制造，具有极低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可稳定工作，适用于多种应用场景。
　　其DFN10封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理和高频响应能力，适合高密度PCB设计。此外，RON-107498MR1 在高温环境下依然能够保持稳定的性能，确保设备在恶劣条件下的正常运行。
　　器件内部集成了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件的可靠性并延长了使用寿命。RON-107498MR1 的栅极结构经过优化设计，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、电源管理模块和电池供电设备。

RON-107498MR1 适用于多种电子系统，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关、电源分配系统等，提高能效并减少发热。
　　2. 电池供电设备：如便携式电子产品、笔记本电脑、移动电源等，用于高效的能量转换和管理。
　　3. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的电源开关和电机驱动电路。
　　4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，用于高密度、低功耗设计。
　　5. 汽车电子：用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和车载信息娱乐系统等，满足汽车级可靠性和温度要求。

Si2302DS, FDS6675, AO4406A, BSS138