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1N5364B 发布时间 时间:2025/7/18 9:19:55 查看 阅读:17

1N5364B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,广泛应用于电路中的整流、保护和开关功能。该二极管具有高反向电压耐受能力、快速恢复特性和低正向压降,适合在高频和高压环境中使用。1N5364B的封装形式通常为DO-41或DO-204AD,具体参数可能因制造商不同而略有差异。

参数

最大反向电压:700V
  最大平均正向电流:1A
  峰值正向浪涌电流:8.3A
  正向电压(If=1A):1.1V
  反向漏电流(VR=700V):50uA
  结电容:约15pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1N5364B具有较高的反向击穿电压,能够在高达700V的反向电压下正常工作。
  其正向导通电压较低,有助于提高整体效率。
  具备良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下运行。
  由于其快速恢复特性,1N5364B非常适合高频开关应用。
  此外,它的封装形式紧凑,便于安装和维护。

应用

1N5364B常用于电源整流、瞬态电压抑制、过压保护以及高频开关电路中。
  它适用于工业控制设备、家用电器、通信设备以及汽车电子系统。
  在太阳能逆变器和其他电力转换装置中,1N5364B也发挥着重要作用。
  此外,该二极管还可以用作续流二极管,在电机驱动电路中防止感性负载引起的电压尖峰。

替代型号

1N5364
  1N5364A
  MRA700T1G
  MBR160HTG

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1N5364B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)33V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 25.1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5364BOS