时间：2025/5/13 13:06:22
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1N5349B是一种常见的硅雪崩击穿二极管（Silicon Avalanche Diode），主要用于电压箝位和瞬态电压抑制（TVS）应用。它能够有效地保护电路免受过电压瞬变的影响，例如由静电放电（ESD）、感应负载开关或雷击引起的瞬态现象。该器件具有快速响应时间、低电容以及高浪涌电流能力，使其非常适合于通信设备、计算机、家用电器和其他电子系统的保护电路中。
最大反向工作电压：90V
击穿电压：96V
最大峰值脉冲电流：37.8A
钳位电压：148V
结电容：28pF
响应时间：1ns
功耗：500W
封装形式：DO-41
1N5349B属于单向TVS二极管，具备以下特点：
1. 高度可靠的电压箝位性能，可有效限制瞬态电压的幅度。
2. 快速响应时间（1ns），确保在瞬态事件发生时迅速启动保护功能。
3. 较低的动态电阻，有助于降低箝位电压并减少对被保护电路的干扰。
4. 高浪涌电流承受能力（37.8A），适合应用于需要承受较大能量冲击的场合。
5. 稳定的工作温度范围，通常为-55°C至+150°C，适应各种环境条件下的使用需求。
6. 小型化封装设计，易于安装在印刷电路板上，节省空间。
1N5349B广泛用于多种领域中的电压保护任务：
1. 电源线和信号线的过压保护。
2. 数据通信接口（如RS-232、USB等）的瞬态抑制。
3. 工业控制设备中的直流电源输入保护。
4. 家用电器和消费类电子产品中的雷击防护。
5. 汽车电子系统中的瞬态抑制应用。
6. 各种敏感半导体元件的保护，防止因过电压而导致损坏。
1N5349BG, SMBJ90A, P6KE90CA
