SUP90N06-6M0P是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件具有低导通电阻、高电流能力以及快速开关特性,适用于多种高频功率转换应用。
该型号属于SUP系列MOSFET,采用TO-252封装形式,能够提供卓越的效率和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:37nC
总电容:1450pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
SUP90N06-6M0P具备出色的电气性能,其主要特点如下:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了高效的功率转换,减少了发热损失。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用。
3. 高额定电流能力支持大功率负载需求。
4. 热稳定性强,能在极端温度条件下可靠运行。
5. TO-252封装形式简化了电路板设计并提高了散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的要求。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统(BMS)
5. 逆变器及不间断电源(UPS)
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 汽车电子系统中的负载开关
SUP90N06L-6M0P, IRFZ44N, FDP177N65A