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1N5339B_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 11:13:34 查看 阅读:26

1N5339B_R2_00001 是一款由Vishay Semiconductors制造的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),属于Vishay的DO-213AB(SOD-80)封装系列。该器件主要用于电压参考、电压调节和电路保护应用。齐纳电压为9.1V,适用于低功耗、高精度的电子系统。由于其紧凑的封装形式和良好的温度稳定性,该器件广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统以及工业控制电路中。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:9.1V
  最大齐纳电流:200mA
  功率耗散:1W
  封装类型:DO-213AB(SOD-80)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  最大反向漏电流:100nA(@ VZ - 5V)
  动态电阻:20Ω(最大)
  温度系数:±80 ppm/°C
  安装类型:表面贴装

特性

1N5339B_R2_00001 齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性,使其在各种电子电路中具有广泛的适用性。
  首先,该器件采用了先进的硅扩散工艺制造,具有优异的电压稳定性和温度稳定性。其温度系数为 ±80 ppm/°C,确保在不同温度环境下仍能维持稳定的齐纳电压,适合对精度要求较高的应用场合。
  其次,该齐纳二极管的封装形式为DO-213AB(也称为SOD-80),属于表面贴装封装,适合自动化贴片工艺,提高生产效率并节省电路板空间。其紧凑的设计使其特别适用于高密度PCB布局,如移动设备、消费类电子产品和嵌入式系统。
  该器件的最大齐纳电流为200mA,功率耗散能力为1W,能够在较宽的工作电流范围内保持稳定的电压调节性能。此外,其动态电阻低于20Ω,意味着在负载变化时,电压波动较小,有助于提高电路的稳定性。
  另外,1N5339B_R2_00001 的最大反向漏电流仅为100nA,在未达到齐纳击穿电压时具有极低的泄漏电流,这有助于降低待机功耗,适用于低功耗设计。
  最后,该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,具有良好的热稳定性,适合在极端温度环境下使用,如工业控制、汽车电子和航空航天等领域。

应用

1N5339B_R2_00001 齐纳二极管广泛应用于多个领域,主要包括:
  在电源管理电路中,作为电压参考源,用于稳压电源、DC-DC转换器和LDO稳压器中的反馈网络。
  在模拟电路中,用于提供稳定的基准电压,确保运算放大器、比较器和ADC/DAC等元件的精度。
  在保护电路中,用于防止过压、静电放电(ESD)和瞬态电压对敏感电子元件造成损坏。
  此外,该器件也常用于测试设备、测量仪器和工业控制系统中,以确保系统在各种工作条件下保持稳定。
  由于其表面贴装封装形式,1N5339B_R2_00001 也适用于高密度PCB设计和自动化生产流程,常见于消费类电子产品、通信设备和便携式电子设备中。

替代型号

1N5339B-T

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1N5339B_R2_00001参数

  • 现有数量12现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)1,250 : ¥1.30296卷带(TR)
  • 系列1N5338B
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)5.6 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值5 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)1 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-201AE,轴向
  • 供应商器件封装DO-201AE