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NDF06N60ZG 发布时间 时间:2025/6/5 21:52:00 查看 阅读:8

NDF06N60ZG是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理应用中。其额定电压为600V,能够满足大多数高压应用场景的需求,同时具备优秀的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻(典型值):1.3Ω
  栅极电荷:38nC
  开关时间(典型值):ton=65ns, toff=80ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

NDF06N60ZG的核心优势在于其高耐压能力与较低的导通电阻,这使得它在高频开关应用中表现出色。该器件还具有以下特点:
  1. 高雪崩能量能力,增强了系统的鲁棒性。
  2. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代设计中。
  3. 极小的栅极电荷和快速开关性能,减少开关损耗并提高效率。
  4. TO-252封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
  这些特性使其成为需要高效能功率开关的应用的理想选择。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 各类保护电路,如过流保护、负载切换等。
  NDF06N60ZG凭借其出色的电气特性和可靠性,在上述应用场景中展现出卓越的表现。

替代型号

NDF06N60G, IRF640

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NDF06N60ZG参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1107pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称NDF06N60ZG-NDNDF06N60ZGOS