1N5257B是一种齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节、参考电压设定以及电路保护等应用。该器件属于肖特基类型,具有良好的稳定性和低动态阻抗特性,能够在较宽的电流范围内提供稳定的反向击穿电压。1N5257B的典型齐纳电压为9.1V,适合用作精密电压源或在电源电路中进行稳压。
型号:1N5257B
齐纳电压(Vz):9.1V
最大齐纳电流(Izmax):5mA
功耗(Pd):400mW
工作温度范围:-65°C 至 +175°C
封装形式:DO-35(玻璃外壳)
正向电压(Vf):约0.7V
动态阻抗(Zz):约20欧姆
1N5257B采用玻璃封装,具备高可靠性和稳定性。
其齐纳电压精度较高,适用于精密电压调节和参考电路。
该器件具有较低的动态阻抗,从而减少了输出电压的波动。
能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
由于其小型化设计,易于集成到紧凑型电路板中。
此外,1N5257B还具有快速响应特性,适合瞬态电压抑制应用。
1N5257B常用于以下场景:
1. 稳压电路:为低压电子设备提供稳定的直流电压。
2. 参考电压源:作为精密电压基准点用于运算放大器或比较器。
3. 过压保护:防止输入电压过高损坏敏感元件。
4. 信号电平转换:调整模拟信号幅度以匹配后续电路需求。
5. 电源监控电路:检测电池电压是否处于安全范围内。
1N5257
BAV21W
MMSZ5257B