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1N5257B 发布时间 时间:2025/7/1 20:07:40 查看 阅读:7

1N5257B是一种齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节、参考电压设定以及电路保护等应用。该器件属于肖特基类型,具有良好的稳定性和低动态阻抗特性,能够在较宽的电流范围内提供稳定的反向击穿电压。1N5257B的典型齐纳电压为9.1V,适合用作精密电压源或在电源电路中进行稳压。

参数

型号:1N5257B
  齐纳电压(Vz):9.1V
  最大齐纳电流(Izmax):5mA
  功耗(Pd):400mW
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装形式:DO-35(玻璃外壳)
  正向电压(Vf):约0.7V
  动态阻抗(Zz):约20欧姆

特性

1N5257B采用玻璃封装,具备高可靠性和稳定性。
  其齐纳电压精度较高,适用于精密电压调节和参考电路。
  该器件具有较低的动态阻抗,从而减少了输出电压的波动。
  能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  由于其小型化设计,易于集成到紧凑型电路板中。
  此外,1N5257B还具有快速响应特性,适合瞬态电压抑制应用。

应用

1N5257B常用于以下场景:
  1. 稳压电路:为低压电子设备提供稳定的直流电压。
  2. 参考电压源:作为精密电压基准点用于运算放大器或比较器。
  3. 过压保护:防止输入电压过高损坏敏感元件。
  4. 信号电平转换:调整模拟信号幅度以匹配后续电路需求。
  5. 电源监控电路:检测电池电压是否处于安全范围内。

替代型号

1N5257
  BAV21W
  MMSZ5257B

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1N5257B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)33V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 25V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)58 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装DO-35
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C