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2SD1766T100Q 发布时间 时间:2025/7/10 19:00:57 查看 阅读:17

2SD1766T100Q是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于功率放大器、开关电路以及其他需要高增益和快速开关速度的场景。该晶体管采用了先进的半导体制造工艺,能够在高频和高压条件下稳定工作,同时具有较低的饱和电压和较高的电流增益。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极最大电流(Ic):10A
  直流电流增益(hFE):30-200
  集电极耗散功率(Pc):150W
  过渡频率(fT):250MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

2SD1766T100Q具备优异的电气性能和热稳定性,能够满足各种工业级和消费级应用场景的需求。
  其主要特点包括:
  1. 高击穿电压和大电流容量,适用于高功率电路设计。
  2. 较低的饱和电压(Vce(sat)),可有效减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  4. 良好的热性能,允许在较宽的温度范围内可靠运行。
  5. 采用标准TO-247封装,便于安装和散热设计。
  此外,该晶体管还具有较高的可靠性,经过严格的测试和筛选以确保产品的一致性和长期稳定性。

应用

2SD1766T100Q常用于以下领域:
  1. 音频功率放大器,如家庭影院系统、专业音响设备等。
  2. 开关电源中的开关元件,例如DC-DC转换器或逆变器。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流或步进电机。
  4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换功能。
  由于其出色的性能表现,这款晶体管成为了许多工程师在设计高功率、高频电路时的首选解决方案。

替代型号

2SD1766, 2SC4893, MJE855A

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2SD1766T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)800mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1766T100Q-ND2SD1766T100QTR